| 主权项 |
1.一种使用含有通式(1)所示重复单位构造之聚(脂环烯烃)的绝缘膜或光学组件,其中,在通式(1)中,1为1至2,m、n、o代表0至5之整数,惟m+n≧1,X代表键,或O、S、CH2.CO、SO、SO2,R1~R4代表可相同或不同之H、F、CF3,C1~C10烷基C6~C20芳基,R5和R6代表可相同或不同之H或C1-C10烷基,R7和R8代表可相同或不同之F、CF3.OCF3.C1~C10烷基,C6~C20芳基。2.如申请专利范围第1项之聚(脂环烯烃)的绝缘膜或光学组件,其中重量平均分子量为500至∞者。3.如申请专利范围第1项之聚(脂环烯烃)的绝缘膜或光学组件,其中重量平均分子量为1,000~1,000,000者。4.一种聚(脂环烯烃),其特征为含有通式(1)所示构造之重复单位,在通式(1)中,1为1至2,m、n、o代表0至5之整数,惟m+n≧1,X代表键,或O、S、CH2.CO、SO、SO2,R1~R4代表可相同或不同之H、F、CF3,C1~C10烷基,C6~C20芳基,R5和R6代表可相同或不同之H或C1-C10烷基,R7和R8代表可相同或不同之F、CF3.OCF3.C6~C20芳基。5.一种聚(脂环烯烃),其特征为含有通式(2)所示构造之重复单位,在通式(2)中,1代表1至2,R1~R4代表可相同或不同之H、F、CF3,C1至C10烷基,R5和R6代表H或C1至C10烷基者。6.如申请专利范围第4或5项之聚(脂环烯烃),其中重量平均分子量为500至∞者。7.如申请专利范围第6项之聚(脂环烯烃),其中重量平均分子量为1,000至1,000,000者。8.如申请专利范围第4项之聚(脂环烯烃),其中R7和R8至少其一为CF3者。9.一种聚(脂环烯烃)之制法,其特征为由申请专利范围第5项之聚(脂环烯烃)与芳族胺化合物反应者。10.如申请专利范围第9项之聚(脂环烯烃)之制法,其中芳族胺化合物系通式(4)所示化合物,在通式(4)中,m、n、o分别为0至5之整数,惟m+n≧1,X代表键,或O、S、CH2.CO、SO、SO2,R7和R8代表可相同或不同之F、CF3.OCF3,C1至C10烷基,C6至C20芳基。图式简单说明:第1图为参考例1所合成外纳吉酸之1H-NMR光谱;第2图为参考例1所合成外纳吉酸之IR光谱;第3图为参考例3所合成外纳吉醯亚胺A之1H-NMR光谱;第4图为参考例3所合成纳吉醯亚胺A之IR光谱;第5图为参考例4所合成纳古醯亚胺B之1H-NMR光谱;第6图为参考例4所合成纳吉醯亚胺B之IR光谱;第7图为参考例5所合成纳吉醯亚胺C之1H-NMR光谱;第8图为参考例5所合成纳吉醯亚胺C之IR光谱;第9图为实施例1所合成聚合物A之1H-NMR光谱;第10图为实施例1所合成聚合物A之IR光谱;第11图为实施例8所合成聚合物之1H-NMR光谱;第12图为实施例8所合成聚合物之IR光谱;第13图为实施例10所合成聚合物之1H-NMR光谱。 |
