溅镀装置

摘要

本发明之课题，系提供一种即使利用溅镀法将介电体膜以连续性地成膜于多数基板上，成膜速度或组成比仍可以保持一定之技术。本发明的溅镀装置(1)，系于真空槽(11)的内部底面上，将对向电极(21)设置成位于载置台(15)的周围。在对向电极(21)的表面上可形成多数的孔(23)，使表面积变大。因此，被溅镀的介电体材料会附着于对向电极(21)的表面上，即使介电体可成膜于其表面上而分布正电荷，分布在对向电极(21)的表面上的电荷之电荷密度与以往相比之下会变小，结果，对向电极表面的电位系大致可保持在接地电位。如此一来，藉由对向电极(21)表面的电位系大致可保持在接地电位，因为在真空槽(11)内的放电稳定了，所以以往所产生的膜厚分布及成膜速度的变动，或放电不稳定的问题就不容易发生了。

主权项

1.一种溅镀装置,其特征为:具有:真空槽;连接于前述真空槽,用来将前述真空槽内真空排气之真空排气系统;连接于前述真空槽,用来将气体导入至前述真空槽内之气体导入系统;被配置在前述真空槽内部的靶电极;与前述靶电极相向地配置在前述真空槽内部,构成可保持基板的基板保持部;以及配置在前述基板保持部的周围使其表面朝向靶电极侧,且在表面上形成凹凸,而被接地的对向电极。2.如专利申请范围第1项所记载之溅镀装置,其中,前述对向电极,系于中央具有贯通孔,前述基板保持部,系被配置在前述贯通孔内部。3.如专利申请范围第1项所记载之溅镀装置,其中,前述凹凸,系形成于前述对向电极表面上的复数个孔。4.如专利申请范围第3项所记载之溅镀装置,其中,前述孔的深度,系与前述的孔的直径相比之下为2倍以上。5.如专利申请范围第1项所记载之溅镀装置,其中,前述靶电极,系被配置于前述真空槽的内部槽顶侧,前述对向电极表面,系被制作成其外侧的高度,比内侧的高度还要低而倾斜。6.如专利申请范围第5项所记载之溅镀装置,其中,前述对向电极的表面,系相对于水平面倾斜10以上。7.如专利申请范围第1项所记载之溅镀装置,其中,前述靶电极,系以BaTiO3.SrTiO3.(BaSr)TiO3.Pb(ZrTi)O3.或SrBi2Ta2O9的其中一种作为主成份的介电体。8.如专利申请范围第1项所记载之溅镀装置,其中,在前述真空槽内,构成只有前述对向电极接地。图式简单说明:第1图系说明本发明的其中一种实施形态的溅镀装置结构之剖面图。第2图中,(a)系说明被使用在本发明的其中一种实施形态的溅镀装置中的对向装置之一例的平面图。(b)系说明被使用在本发明的其中一种实施形态的溅镀装置中的对向装置之一例的剖面图。第3图系针对用本发明其中一个实施形态的溅镀装置来连续成膜时,说明处理片数、成膜速度、以及Sr/Ti组成比之间的关系之折线图。第4图系针对用以往的溅镀装置来连续成膜时,说明处理片数、成膜速度、以及Sr/Ti组成比之间的关系之折线图。第5图系针对用本发明另外一个实施形态的溅镀装置来连续成膜时,说明处理片数、成膜速度、以及Sr/Ti组成比之间的关系之曲线图。第6图中,(a)系说明被使用在本发明的其中一种实施形态的溅镀装置中的其他对向装置之一例的平面图。(b)系说明被使用在本发明的其中一种实施形态的溅镀装置中的其他对向装置之一例的剖面图。第7图,(a)系说明被使用在本发明的其中一种实施形态的溅镀装置中的其他对向装置之一例的平面图。(b)系说明被使用在本发明的其中一种实施形态的溅镀装置中的其他对向装置之一例的剖面图。第8图系说明以往的溅镀装置的结构之剖面图。