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1.一种锑/路易士硷加成物,其化学式为: SbR3.L 其中: 各R系分别选自C1-C8烷基、C1-C8全氟烷基、C1-C8卤烷 基、C6-C10芳基、C6-C10全氟芳基、C6-C10卤芳基、C6-C 10环烷基、被取代的C6-C10芳基、卤基、氘(21H)同位 素及氚(31H)同位素;及 L系与SbR3配位之路易士硷配位子,选自于下列之群 组: (a)胺及聚胺; (b)氨; (c)啶; (d)联啶; (e)苯基啶; (f)化学式如下之配位子: 其中: G为-O-、-S-、或-NR-,其中R为H或烃基,例如,C1-C8烷基; (g)冠醚(crown ethers); (h)硫醚;及 (i)化学式R0(C(R1)2C(R2)2O)nR0之配位子,其中: R0=H、甲基、乙基、正丙基、氰氧基、全氟乙基、 全氟正丙基或乙烯基; R1=H、F或空间上可接受的烃基取代基; R2=H、F或空间上可接受的烃基取代基; n=2.3.4.5或6;及 各R0.R1及R2分别可与其他的R0.R1及R2相同或不同。2. 如申请专利范围第1项之锑/路易士硷加成物,其中L 包含选自包括四乙二醇二甲醚、四氢喃、联 啶、氨、啶、3-苯基啶、3-甲基啶、18-冠-6 醚、五甲基二伸乙三胺(PMDETA)、二伸乙三胺(DETA) 、四伸乙五胺(TEPA)及六甲基四伸乙五胺(HMTEPA)之 群组之路易士硷配位子。3.如申请专利范围第1项 之锑/路易士硷加成物,其中各R系为CF3。4.如申请 专利范围第3项之锑/路易士硷加成物,其中L包含选 自包括四乙二醇二甲醚、四氢喃、联啶、氨 、啶、3-苯基啶、3-甲基啶、18-冠-6醚、五 甲基二伸二三胺(PMDETA)、二伸乙三胺(DETA)、四伸 乙五胺(TEPA)及六甲基四伸乙五胺(HMTEPA)之路易士 硷配位子。5.如申请专利范围第1项之锑/路易士硷 加成物,其中SbR3之至少一个R取代基为氘(21H)同位 素或氚(31H)同位素。6.如申请专利范围第1项之锑/ 路易士硷加成物,其中SbR3之至少一个R取代基为氘( 21H)同位素。7.一种使锑沈积于基材上之方法,其系 利用申请专利范围第1项之锑/路易士硷加成物,而 该方法包括自该锑/路易士硷加成物形成含锑沈积 材料,且使该含锑材料与基材接触而将锑沈积于基 材上。8.如申请专利范围第7项之方法,其包含选自 包括下列之方法: 化学气相沈积, 选自包括雷射辅助化学气相沈积、光辅助化学气 相沈积、电浆辅助化学气相沈积、及离子辅助化 学气相沈积之辅助化学气相沈积, 离子植入, 分子束磊晶术,及 快速热加工。9.如申请专利范围第7项之方法,其中 自该锑/路易士硷加成物形成含锑沈积材料之该步 骤,包括化学气相沈积方法。10.如申请专利范围第 7项之方法,其中自该锑/路易士硷加成物形成含锑 沈积材料之该步骤,包括离子植入方法。11.如申请 专利范围第7项之方法,其中L包含选自包括四乙二 醇二甲醚、四氢喃、联啶、氨、啶、3-苯 基啶、3-甲基啶、18-冠-6醚、五甲基二伸乙三 胺(PMDETA)、二伸乙三胺(DETA)、四伸乙五胺(TEPA)及 六甲基四伸乙五胺(HMTEPA)之路易士硷配位子。12. 如申请专利范围第7项之方法,其中各R系为CF3。13. 一种供锑源试剂用之储存及分配系统,包括: 一容器,包含对锑源试剂具有吸着亲和力之吸着剂 材料及锑源试剂,其中该锑源试剂包括申请专利范 围第1项之锑/路易士硷加成物。14.如申请专利范 围第13项之储存及分配系统,其中该吸着剂材料包 括固态物理吸着剂材料。15.如申请专利范围第13 项之储存及分配系统,其中该吸着剂材料包括锑源 试剂可于其中溶解之液态吸着剂,诸如聚醚、二元 醇、异丙环己烷(cryptanes)及冠醚。16.如申请专利 范围第1项之锑/路易士硷加成物,其中各R系为CF3且 L系选自由啶、3-苯基啶、氨及3-甲基啶组 成之群组中。17.如申请专利范围第1项之锑/路易 士硷加成物,其中各R系选自由氘同位素、甲基、 乙基及三氟甲基组成之群组中,且L系选自啶、3- 苯基啶、氨及3-甲基啶、四乙二醇二甲醚、 冠醚、聚胺及联啶组成之群组中。图式简单说 明: 图1显示参(三氟甲基月弟 )氨之蒸气相IR光谱。 图2显示Sb(CF3)3.NH3之13C NMR光谱,其证实碳共振与未 结合分子有大约3 ppm之明显的向下位移。 图3显示(CF3)3SbNC5H5路易士硷加成物之蒸气相FTIR光 谱,其中根据光谱位移及C-F弯曲及伸展模式之相对 强度之变化,C-H及C-C伸展之存在显示啶结合至Sb 。 图4系3-苯基啶参-三氟甲基月弟加成物之晶体结 构之概略图示,其显示Sb-N键长意料之外地长,其指 示非常弱的加成物键。 图5系容纳吸着剂介质及根据本发明之锑源试剂之 气体储存及分配容器之概略图示。 |
