| 发明名称 | 清除聚合物的方法以及用于清除聚合物的装置 | ||
| 摘要 | 一种用于清除形成于一个基片(W)上的被蚀刻金属层(73)的侧壁上所附着的聚合物(76)的方法，其包括(a)通过向基片(W)的表面上通入化学药剂来溶解聚合物(76)，和(b)通过向基片(W)的表面上通入纯水来冲洗掉基片(W)表面上的化学药剂，其特征在于步骤(a)中的至少一部分是在氧化气氛中进行的。 | ||
| 申请公布号 | CN1471130A | 申请公布日期 | 2004.01.28 |
| 申请号 | CN03147432.2 | 申请日期 | 2003.07.10 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 苑田博幸;川口英彦;田中盛光;大野宏树 |
| 分类号 | H01L21/00;H01L21/321 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 刘晓峰 |
| 主权项 | 1、一种用于清除形成于基片上的一种被蚀刻金属层的侧壁上所附着的聚合物的方法，其包括：(a)通过向所述基片表面上输送化学药剂来溶解所述聚合物；和(b)通过向所述基片表面上通入纯水而冲洗掉所述基片表面上的所述化学药剂。其特征在于所述步骤(a)中的至少一部分要在氧化气氛中进行。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||