Epitaxiesubstrat für lichtemittierenden Verbundhalbleiterbaustein, Verfahren zu seiner Herstellung und lichtemittierender Baustein

摘要

Um die Lichtausbeute zu verbessern, ohne die Schutzfunktion einer lichtemittierenden Schichtstruktur zu beeinträchtigen, wird eine dreischichtige p-leitende Struktur bereitgestellt, die aus ersten bis dritten Schichten besteht und mit einer lichtemittierenden Schichtstruktur in Kontakt steht. Die erste Schicht ist eine als Schutzschicht dienende n-AlGaN-Schicht, die dritte Schicht ist eine als Kontaktschicht dienende GaN:Mg-Schicht und die zweite Schicht ist eine zwischen diesen Schichten als Zwischenschicht ausgebildete AlGaN:Mg-Schicht. Durch Bereitstellen der Zwischenschicht kann eine InGaN-Schicht während des Wachstums der vorstehend erwähnten Schichten zuverlässig vor Wärme geschützt werden, auch wenn die n-AlGaN-Schicht dünn ausgebildet wird, so daß die GaN:Mg-Schicht in der Nähe der lichtemittierenden Schichtstruktur angeordnet werden kann, wodurch der Wirkungsgrad für Lochinjektion in die lichtemittierende Schichtstruktur und dadurch die Lichtausbeute erhöht wird.