| 主权项 |
1.一种三波长ZnSe白光LED,系包含:一ZnSe白光LED晶粒,主要包含ZnSe蓝色发光层及ZnSe基板层;一绿色萤光粉,此萤光粉可被蓝光波长激发产生绿色波长光;一封装基板(或支架);将ZnSe白光LED晶粒经固晶打线程序固置于封装基板宗或支架)上,绿色萤光粉以直接或间接的方式使其附着于LED晶粒之上再封装成型。2.如申请专利范围第1项所述之三波长ZnSe白光LED,其中绿色萤光粉至少包含以下任一种萤光物质:Y3(GaxAl1-x)5O12:Ce(0<x<1);Ca8Mg(SiO4)4Cl2,Eu,Mn;Ca2MgSi2O7:Cl,Eu;Ba2(MgxZn1-x)Si2O7:Eu;或为上述任两种以上之混合物。3.如申请如申请专利范围第1项所述之三波长ZnSe白光LED,其中ZnSe蓝色发光层发光波长介于420~480nm之间。4.如申请如申请专利范围第1项所述之三波长ZnSe白光LED,其中封装基板(或支架)型态可为金属、半导体、陶瓷、塑料、印刷电路板(PCB)等材料。5.如申请如申请专利范围第1项所述之三波长ZnSe白光LED,其中LED可封装成灯型(Lamp)、印刷电路板型(PCB)、正面发光型、侧面发光型、表面黏着型(SMD)、高功率型等。6.如申请如申请专利范围第1项所述之三波长ZnSe白光LED,其中ZnSe晶粒的数量可为单数或复数颗。图式简单说明:第一图为传统ZnSe型白光LED发射光谱图。第二图为传统ZnSe型白光LED灯型(Lamp)型示意图。第三图为本发明「三波长ZnSe白光LED」灯型(Lamp)白光LED示意图。第四图为本发明「三波长ZnSe白光LED」正面发光型白光LED示意图。第五图为本发明「三波长ZnSe白光LED」模铸法表面黏着(SMD)型白光LED示意图。第六图为本发明「三波长ZnSe白光LED」印刷电路板(PCB)型白光LED示意图。第七图为本发明「三波长ZnSe白光LED」中绿色萤光粉Y3(GaxAl1-x)5 O12:Ce(0<x<1)激发光谱图。第八图为本发明「三波长ZnSe白光LED」中绿色萤光粉Y3(GaxAl1-x)5 O12:Ce(0<x<1)发射光谱图。第九图为本发明「三波长ZnSe白光LED」中绿色萤光粉Ca8Mg(SiO4)4 C12:Eu,Mn激发光谱图。第十图为本发明「三波长ZnSe白光LED」中绿色萤光粉Ca8Mg(SiO4)4 C12:Eu,Mn发射光谱图。第十一图为本发明「三波长ZnSe白光LED」ZnSe白光晶粒加绿色萤光粉发射光谱图。 |
