发明名称 | 用于晶片上金属熔丝段线性排列的方法 | ||
摘要 | 通过熔丝段的位组合,表示晶片上电路的特征值的金属熔丝段的线性排列,需要去除覆盖其上的聚酰亚胺层,以使燃烧熔丝段成为可能。若不充分遵守工艺参数以及未充分去除金属熔丝段上的聚酰亚胺时,电路特性的结果相对误差会因为对应于最大有效位的熔丝段两侧与其它熔丝段相邻而减至最小。 | ||
申请公布号 | CN1135621C | 申请公布日期 | 2004.01.21 |
申请号 | CN98119733.7 | 申请日期 | 1998.09.29 |
申请人 | 西门子公司 | 发明人 | R·克勒特 |
分类号 | H01L23/62;H01L23/58 | 主分类号 | H01L23/62 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 马铁良;王忠忠 |
主权项 | 1.用于金属熔丝段线性排列的方法,该熔丝段通过其位组合,表示晶片上电路的特征值,其特征在于,对应于最大有效位的熔丝段在其两侧与其它熔丝段相邻。 | ||
地址 | 联邦德国慕尼黑 |