| 发明名称 | 制造半导体元件的方法及其半导体元件 | ||
| 摘要 | 一种制造半导体元件的方法包括在一个基片(110)上形成第一电容器电极(126)，在该第一电容器电极(126)上形成电容器绝缘层(226)，并且在该电容器绝缘层(226)上形成第二电容器电极(326)。该电容器绝缘层(226)由铝所制成。 | ||
| 申请公布号 | CN1468443A | 申请公布日期 | 2004.01.14 |
| 申请号 | CN01816887.6 | 申请日期 | 2001.10.04 |
| 申请人 | 摩托罗拉公司 | 发明人 | 哈尔代恩·S·亨利;达赖尔·G·西尔;乔纳森·K·阿布洛克瓦;马里穆·G·萨达卡 |
| 分类号 | H01L21/02 | 主分类号 | H01L21/02 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 朱海波 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体元件的方法包括：在一个基片上形成第一绝缘层，该第一绝缘层包含铝；在该第一绝缘层上形成第二绝缘层，该第二绝缘层基本上不含铝；在该第二绝缘层上形成第一导电层；蚀刻该第一导电层；以及在形成该第一导电层之后，蚀刻该第二绝缘层，以暴露至少一部分第一绝缘层。 | ||
| 地址 | 美国伊利诺斯 | ||