存储器件及其驱动方法

摘要

本发明公开了一种存储器件及用于驱动此存储器件的方法，该器件具有一晶体管和一用作储存装置的电阻材料。存储器件包括：一形成在半导体衬底上的NPN型晶体管；一电阻材料，其通过一导电插塞与晶体管的源极区相接触，且“0”或“1”的位数据写入到该材料中；以及一导电板，其与电阻材料相接触。因而，由于存储单元的结构简单，所以能提高存储器件的集成度，能简化其制造工艺，且可通过延长刷新周期来降低电流消耗。

主权项

1.一种存储器件，其包括：一半导体衬底；一NPN型晶体管，其形成在半导体衬底上；一层间绝缘膜，其形成在半导体衬底上，以覆盖所述晶体管，在该绝缘膜上制出了一个接触孔，该孔露出了晶体管的源极区；一导电插塞，其填充了所述接触孔；一电阻材料，其形成在导电插塞上，位数据“0”或“1”将被写入到该电阻材料中；以及一导电板，其形成在层间绝缘膜上，以与电阻材料相接触。