| 主权项 |
1.一种半导体装置,其特征是具备有: 控制电路,连接到用以输出预定之电压之配线,用 来输出与上述之预定电压对应之第1控制信号,和 输出可以依照熔线之有无切断用来设定信号之第2 控制信号; 分压产生电路,连接在预定之第1和第2电位间,用来 输出上述电位间之电压;和 选择电路,利用上述之控制信号选择上述分压产生 电路之输出,作为基准电压的进行输出。2.如申请 专利范围第1项之半导体装置,其中该选择电路被 构建成使控制信号之码成为汉明(Hamming)距离1。3. 如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该选择 电路被构建成使控制信号之码成为2进制码。4.如 申请专利范围第1项之半导体装置,其中控制电路 之控制信号之构成包含有可以以微小之电压调节 之下位位元部,和可以以大于上述下位位元部之电 压调节之上位位元部,上述之下位位元部是第2控 制信号。5.如申请专利范围第1项之半导体装置,其 中控制电路之控制信号之构成包含有可以以微小 之电压调节之下位位元部,和可以以大于上述下位 位元部之电压调节之上位位元部, 上述之下位位元部之任何一个位元是第1控制信号 ,上述之上位位元部之任何一个位元是第2控制信 号。6.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中更 具备有溶线电路,依照熔线之有无切断用来变化互 补之第1和第2输出信号。7.如申请专利范围第1项 之半导体装置,其中该分压产生电路在第1和第2电 压间包含有电阻値互异之具有一定比率之电阻値 之电阻,使上述之电阻串联连接,以各个电阻之连 接部作为输出。8.如申请专利范围第1项之半导体 装置,其中在分压产生电路和第1或第2电位间之间 具有电阻。9.如申请专利范围第1项之半导体装置, 其中更具备有电压控制振荡电路,将基准电压输入 到振荡电路,用来调整振荡频率。图式简单说明: 图1是本发明之实施形态1之基准电压产生电路。 图2是本发明之实施形态1之熔线电路。 图3是本发明之实施形态1之选择电路。 图4是本发明之实施形态2之基准电压产生电路。 图5是本发明之实施形态2之选择电路。 图6是本发明之实施形态3之基准电压产生电路。 图7是本发明之实施形态4之高电压检测电路。 图8是本发明之实施形态5之电压控制振荡电路。 图9是习知之基准电压产生电路。 |
