MIM电容器之形成方法

摘要

一种MIM电容器的形成方法，用于改善泄漏电流特性。本发明之MIM电容器之形成方法，其包含下列之步骤：提供形成有包含金属图样之基层之半导体基板；将用于下部电极之第1金属层沉积在基层上；为了改进第1金属层之表面粗糙度并防止其氧化，将第1中间层沉积在第1金属层上；将高介电常数之电介质层沉积在第1中间层之上；为了增加带隙能量将一第2中间层沉积在所述高介电常数的电介质层之上；将用于上部电极之第2金属层沉积在第2中间层之上；藉由对所述第2金属层、第2氮化物层、电介质层及第1中间层刻画图样，完成上部电极；并且藉由对第1金属层刻画图样完成下部电极。

主权项

1、一种MIM电容器的形成方法，其特征在于，其包含下列步骤：提供一形成有含有金属图样之基层的半导体基板；将被用为下部电极之一第1金属层沉积在所述基层上；为了改进所述第1金属层之表面粗糙度并防止其氧化，将一第1中间层沉积在所述第1金属层上；将高介电常数之电介质层沉积在所述第1中间层上；为了增加带隙能量，将一第2中间层沉积在所述高介电常数之电介质层上；将用为上部电极之一第2金属层沉积在所述第2中间层上；藉由对所述第2金属层、第2氮化物层、电介质层及第1中间层刻画图样，完成上部电极；以及藉由对所述第1金属层刻画图样，完成下部电极。