基底及其制造方法,以及薄膜结构体

摘要

本发明是关于一种基底及其制造方法，以及薄膜结构体，其目的在提供一种可减低热收缩时基底的氧化膜与形成于该氧化膜上的其他薄膜之间所产生的应力差，同时可缩短较厚的氧化膜形成时所需的成膜时间的基底及其制造方法，以及薄膜结构体。此外，为达成前述目的，本发明的基底(1)具备有：由硅所形成的基底本体(31)；以及形成于其上的基台用的氧化膜(33)。氧化膜(33)则具备有：由使基底本体(31)中的硅元素热氧化而形成的热SiO₂膜所构成的第1氧化膜(61)；以及由在此氧化膜之上堆积而形成的高温氧化膜所构成的第2氧化膜(63)。

主权项

1.一种基底，具备有：以硅为主成份而形成的基底本体(31)：藉由使前述基底本体所包含的前述硅热氧化而形成于前述基底本体上的第1氧化膜(48)；于前述第1氧化膜上，堆积TEOS氧化膜而形成的第2氧化膜(49)。