| 主权项 |
1.一种放射线画像检测装置,其特征为:在放射线检测用半导体晶圆的放射线入射面具有共通电极,在他方具备:具有像素单位的讯号输出用的讯号电极的单阵列型半导体放射线检测元件;以及接合于该单阵列型半导体放射线检测元件,处理来自该讯号电极的输出讯号成使放射线画像化的讯号,输出到讯号引出垫的讯号处理电路。2.如申请专利范围第1项所述之放射线画像检测装置,其中该讯号处理电路对四角形的该单阵列型半导体放射线检测元件以同一宽度,且长长地形成有该讯号引出垫份,令接合该讯号处理电路与该单阵列型半导体放射线检测元件者为单位画像检测器,此单位画像检测器的两个是使与该讯号引出垫侧相对侧的边相互无间隙地对接,以对接的两个单位画像检测器为一组,依次对接这些复数组于未配设有该讯号引出垫的侧面,并设于基板上而成。3.如申请专利范围第1项所述之放射线画像检测装置,其中形成该单阵列型半导体放射线检测元件的半导体是CdTe或CdZnTe或HgI2。4.如申请专利范围第1项所述之放射线画像检测装置,其中该单阵列型半导体放射线检测元件的尺寸为短边5mm以上50mm以下,长边10mm以上100mm以下,厚度0.5mm以上10mm以下。5.如申请专利范围第1项所述之放射线画像检测装置,其中该单阵列型半导体放射线检测元件的讯号电极的间距为0.2mm以上2.5mm以下。6.如申请专利范围第1项所述之放射线画像检测装置,其中该讯号处理电路具有计测特定能量的放射线数的功能。7.如申请专利范围第1项所述之放射线画像检测装置,其中该讯号处理电路具有分别计测复数个特定能量的放射线数的功能。8.如申请专利范围第1项所述之放射线画像检测装置,其中具有令以该讯号处理电路计测的每一各像素的特定能量的放射线数为单色的浓度差或色相差而进行画像化处理的画像构成部。9.如申请专利范围第1项所述之放射线画像检测装置,其中令自诊断对象放射,以该讯号处理电路计测的每一各像素的特定能量的放射线数为单色的浓度差或色相差而进行画像化处理,为医疗诊断利用。图式简单说明:图1是显示依照本发明的一实施形态的放射线画像检测装置的单位画像检测器的侧面图。图2是图1所示的单位画像检测器的前视图。图3是显示本发明的放射线画像检测装置的前视图。图4是图3所示的放射线画像检测装置的侧面图。图5是显示图1中的讯号处理电路的内部电路的方块图。图6是显示包含画像显示部的放射线画像检测装置的全体的方块图。 |
