| 主权项 |
1.一种决定一用于至少两个不同缺陷观测空间之座标系统的至少两个原点间之偏移之方法,该方法包含:收集展开在该等缺陷观测空间中的多重资料集;过滤该等资料集来移除导入杂讯至关连性计算的点;决定是否不同的该等资料集显示出关连性;如果不同的该等资料集显示出关连性,则选择可显示出其关连性大于或等于一度量的成对资料集;及基于该等所选成对资料集来计算该原点的座标偏移。2.一种决定一用于至少两个不同缺陷观测空间之座标系统的至少两个原点间之偏移之装置,该装置包含:用于收集展开在该等缺陷观测空间中的多重资料集之装置;用于过滤该等资料集来移除导入杂讯至关连性计算的点之装置;用于决定是否不同的该等资料集显示出关连性之装置;选择装置,用于如果不同的该等资料集显示出关连性,则选择显示关连性大于或等于一度量的成对资料集;及用于基于该等所选成对资料集来计算该原点的座标偏移之装置。3.一种机器可读取的程式储存装置,其明确具体化一机器可执行指令之程式,以执行一种决定一用于至少两个不同缺陷观测空间之座标系统的至少两个原点间之偏移之方法,该方法包含:收集展开在该等缺陷观测空间中的多重资料集;过滤该等资料集来移除导入杂讯至关连性计算的点;决定是否不同的该等资料集显示出关连性;如果不同的该等资料集显示出关连性,则选择可显示出其关连性大于或等于一度量的成对资料集;及基于该等所选成对资料集来计算该原点的座标偏移。4.一种用于决定一供晶圆之至少两个不同缺陷观测使用之座标系统的至少两个原点间之偏移之方法,其至少在一第一层与一第二层处且该晶圆上置有积体电路,该方法包含:过滤缺陷资料;辨识出在位于靠近在该第一层中的每个缺陷之该第二层中的每个缺陷;计算在该第一层中的缺陷与在该第二层中的该缺陷之间的座标差异;找出密集区域,其中有相当高密度的偏移;决定在该密集区域中的偏移是否随机地分布;如果该等偏移并非随机地分布,则计算出描述性统计,其中包含至少平均偏移及可信度限制;及报告平均偏移及可信度限制。5.如申请专利范围第4项之方法,其中该找出密集区域包含:将每个座标偏移范围分成一些相等间隔;及选择具有最大偏移计数之间隔,以当做该密集区域。6.一种用于决定一供晶圆之至少两个不同缺陷观测使用之座标系统的至少两个原点间之偏移之装置,其至少在一第一层与一第二层处且该晶圆上置有积体电路,该装置包含:用于过滤缺陷资料的装置;用于辨识出在位于靠近在该第一层中的每个缺陷之该第二层中的每个缺陷之装置;用于计算在该第一层中的缺陷与在该第二层中的该缺陷之间的座标差异之装置;用于找出密集区域之装置,其中有相当高密度的偏移;用于决定在该密集区域中的偏移是否随机地分布之装置;用于如果该等偏移并非随机地分布,则计算出描述性统计之装置,其中包含至少平均偏移及可信度限制;及用于报告平均偏移及可信度限制之装置。7.如申请专利范围第6项之装置,其中用于找出密集区域之该装置包含:用于将每个座标偏移范围分成一些相等间隔之装置;及用于选择具有最大偏移计数之间隔,以当做该密集区域之装置。8.一种机器可读取的程式储存装置,其明确具体化一机器可执行指令之程式,以执行一种决定一用于一晶圆之至少两个不同缺陷观测空间之座标系统的至少两个原点间之偏移之方法,其至少在一第一层及一第二层处且该晶圆上置有积体电路,该方法包含:过滤缺陷资料;辨识出在位于靠近在该第一层中的每个缺陷之该第二层中的每个缺陷;计算在该第一层中的缺陷与在该第二层中的该缺陷之间的座标差异;找出密集区域,其中有相当高密度的偏移;决定在该密集区域中的偏移是否随机地分布;如果该等偏移并非随机地分布,则计算出描述性统计,其中包含至少平均偏移及可信度限制;及报告平均偏移及可信度限制。9.如申请专利范围第8项之程式储存装置,其中该找出密集区域进一步包含:将每个座标偏移范围分成一些相等间隔;及选择具有最大偏移计数之间隔,以当做该密集区域。10.一种用于决定在一置有积体电路的一晶圆上之至少三个不同缺陷观测之座标系统中的至少三个原点间之偏移之方法,该方法包含:找出层之间所有可能的成对链结;建构一链结树;由该树辨识出可用于链结该等层所沿循的所有间接路径;计算该等间接链结层间之偏移的统计;决定任何成对层是否被该等多重路径链结;如果有任何成对层被该等多重路径所链结,则列出由该等多重路径所链结的每对成对层;选择先前未被选取之所列出的成对层;决定与该等所列出成对层关联之偏移是否在彼此的可信度限制之内;选择该等偏移的最佳估计;决定该系统是否已经选择所有该等所列出成对;及选择先前未被选取之所列出的成对层。11.如申请专利范围第10项之方法,其中选择该最佳估计包含平均化与该等所列出成对层关联之该等偏移。12.如申请专利范围第10项之方法,其中选择该最佳估计包含计算与该等所列出成对层关联之偏移的中位数。13.一种用于决定在一置有积体电路的一晶圆上之用于决定至少三个不同缺陷观测之一座标系统中的至少三个原点间之偏移之装置,该装置包含:用于找出层之间所有可能的成对链结之装置;用于建构一链结树之装置;用于由该树辨识出可用于链结该等层所沿循的所有间接路径之装置;用于计算该等间接链结层间之偏移的统计之装置;用于决定任何成对层是否被该等多重路径链结之装置;列出成对层之装置,用于如果有任何成对层被该等多重路径所链结,则列出由该等多重路径所链结的每对成对层;用于选择先前未被选取之所列出的成对层之装置;用于决定与该等所列出成对层关联之偏移是否在彼此的可信度限制之内之装置;用于选择该等偏移的最佳估计之装置;用于决定该系统是否己经选择所有该等所列出成对之装置;及用于选择先前未被选取之所列出的成对层之装置。14.如申请专利范围第13项之装置,其中该用于选择最佳估计之装置进一步包含用于平均化与该等所列出成对层关联之该等偏移的装置。15.如申请专利范围第13项之装置,其中用于选择该最佳估计的装置包含用于计算与该等所列出成对层关联之该等偏移的中位数之装置。16.一种机器可读取的程式储存装置,其明确具体化一机器可执行指令之程式,以执行一种用于决定在一置有积体电路的一晶圆上之用于决定至少三个不同缺陷观测之座标系统中的至少三个原点间之偏移之方法,该方法包含:找出层之间所有可能的成对链结;建构一链结树;由该树辨识出可用于链结该等层所沿循的所有间接路径;计算该等间接链结层间之偏移的统计;决定任何成对层是否被该等多重路径链结;如果有任何成对层被该等多重路径所链结,则列出由该等多重路径所链结的每对成对层;选择先前未被选取之所列出的成对层;决定与该等所列出成对层关联之偏移是否在彼此的可信度限制之内;选择该等偏移的最佳估计;决定该系统是否已经选择所有该等所列出成对;及选择先前未被选取之所列出的成对层。17.如申请专利范围第16项之程式储存装置,其中该选择该最佳估计包含平均化与该等所列出成对层关联的该等偏移。18.如申请专利范围第16项之程式储存装置,其中该选择该最佳估计包含计算与该等所列出成对层关联的该等偏移之中位数。图式简单说明:图1所示为一先前技艺的晶圆,其区分成一晶粒的阵列。图2所示为在一观测处理期间可侦测到的缺陷范例。图3所示为在一晶圆上已经处理一第二层之后,可以侦测到的缺陷。图4所示为一覆盖报告,其可在至少两个观测之后产生,其显示出如同在不同层上所辨识的缺陷。图5所示为在两个叠层上所观察到的缺陷对之间所观察到的x方向上的分散式的偏移。图6所示为在两个叠层上所观察到的缺陷对之间所观察到的y方向上的分散式的偏移。图7所示为实施本发明的一种方法之功能流程图。图8所示为实施本发明的一第二自动化方法之功能流程图。图9所示为实施本发明的一种方法之流程图。图10所示为实施本发明的一种方法之流程图。图11所示为一记忆体阵列的一部份之架构图。图12所示为已经对于许多叠层得到的覆盖偏移之架构图。图13所示为在不同叠层之间的x座标偏移之量测分布的图形。图14所示为实施本发明的一种方法之流程图。 |
