| 主权项 |
1.一种在具有接触孔的半导体装置中使用钛薄膜形成金属线的方法,该方法所包含的步骤为:a)在电浆密度小于1010/cm3的条件下,沈积一第一钛薄膜于接触孔形成在其中的晶圆上;b)施加一偏压于晶圆上;以及c)在电浆密度大于1011/cm3的条件下,沈积一第二钛薄膜于第一钛薄膜上。2.如申请专利范围第1项之方法,其中第一钛薄膜系于小于2.0mTorr的压力沈积。3.如申请专利范围第2项之方法,其中第一钛薄膜系于450-650℃的温度下沈积。4.如申请专利范围第1项之方法,其中第二钛薄膜系于大于15mTorr的压力沈积。5.如申请专利范围第4项之方法,其中第二钛薄膜系于450-650℃的温度下沈积。6.如申请专利范围第1项之使用钛薄膜形成金属线的方法,其中该第一及第二钛薄膜系于相同腔室中沈积。图式简单说明:第1A-1D图系为根据本发明之金属线制程的横截面图。 |
