| 发明名称 | 多量子阱波导对接耦合方法 | ||
| 摘要 | 本发明一种多量子阱波导对接耦合方法，包括如下步骤：(1)在衬底上外延生长元器件A的多量子阱结构；(2)淀积一层介质膜后，掩膜光刻，腐蚀掉A台条以外的多量子阱结构；(3)再次外延元器件B的多量子阱结构；(4)掩膜光刻去掉A和B界面处生长质量不好的部分；(5)最后大面积外延优化设计的体材料，同时作为元器件A和B的上波导，以及它们之间的耦合波导。该方法可以消除直接对接出现的空洞和多量子阱弯曲现象，降低耦合损耗，提高出光功率，可应用于多种光电子集成器件的制作。 | ||
| 申请公布号 | CN1464603A | 申请公布日期 | 2003.12.31 |
| 申请号 | CN02124387.5 | 申请日期 | 2002.06.21 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 胡小华;王圩;朱洪亮 |
| 分类号 | H01S5/026;G02B6/42 | 主分类号 | H01S5/026 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种多量子阱波导对接耦合方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在衬底上外延生长元器件A的多量子阱结构；(2)淀积一层介质膜后，掩膜光刻，腐蚀掉A台条以外的多量子阱结构，该介质膜是二氧化硅或氧化硅；(3)再次外延元器件B的多量子阱结构；(4)掩膜光刻去掉A和B界面处生长质量不好的部分；(5)最后大面积外延优化设计的体材料，同时作为元器件A和B的上波导，以及它们之间的耦合波导。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路肖庄 | ||