| 主权项 |
1.一种含共同封装晶片的半导体装置,包括:一外部导电性夹具,其具有一薄片部(web portion)与复数个外墙(walls),该外墙系延伸自薄片部(webportion)的边缘以定义一空间;一第一半导体裸晶,其具有至少两个主要电极,每一电极位于该第一半导体裸晶的个别主要表面;一导电层(conductive layer),系电性连接该主要电极的其中之一于该薄片部(web portion);一内部夹具(inner clip),其具有复数个外墙(walls),且放在该空间且于该薄片部(web portion)上;一第二半导体裸晶,其至少部份是位于在该空间且内部导电性夹具(inner conductive clip)。2.如申请专利范围第1项所述之含共同封装晶片的半导体装置,其中该外部导电性夹具(outer conductive clip),包括两个昇起部(raised portions),其系延伸自该昇起部本身两个相对面向外墙(walls)的边缘,每一昇起部包括一接触表面,该接触表面用以提供电性接触于位在一基板上的一对应电性接触垫片(electrical contactpad)。3.如申请专利范围第2项所述之含共同封装晶片的半导体装置,其中该内部夹具(inner clip)包括一延伸自该部的至少一外墙(wall),该外墙系与该外部导电性夹具(outer conductive clip)之该两个昇高部(raised portions)的该接触表面共平面。4.如申请专利范围第1项所述之含共同封装晶片的半导体装置,其中该内部夹具(inner clip)系连接至,但却隔离于该薄片部(web portion)。5.如申请专利范围第1项所述之含共同封装晶片的半导体装置,其中该第一与该第二半导体裸晶系金氧半场效电晶体(MOSFETs)。6.如申请专利范围第1项所述之含共同封装晶片的半导体装置,其中该第一半导体裸晶系一金氧半场效电晶体(MOSFET),而具有一汲极电极(drain electrode),该汲极电极连接至该薄片部(web portion),且该第二半导体裸晶系一积体电路而用以控制该金氧半场效电晶体(MOSFET)。7.如申请专利范围第1项所述之含共同封装晶片的半导体装置,其中该内部夹具(innerclip)系由铜(copper)制成。8.如申请专利范围第1项所述之含共同封装晶片的半导体装置,其中该内部夹具(inner clip)的外部表面系绝缘的(insulated)。9.如申请专利范围第1项所述之含共同封装晶片的半导体装置,其中该内部夹具(inner clip)的内部表面系以银镀膜(coated with silver)。10.如申请专利范围第1项所述之含共同封装晶片的半导体装置,进一步地包括一绝缘层,该绝缘层连接该内部夹具(inner clip)于该薄片部(web portion)。11.如申请专利范围第1项所述之含共同封装晶片的半导体装置,其中该第二半导体裸晶系较该第一半导体裸晶为薄。12.如申请专利范围第1项所述之含共同封装晶片的半导体装置,其中该第二半导体裸晶系藉由一导电性的环氧树脂(EPOXY)电性连接于该内部夹具(inner clip)。13.如申请专利范围第1项至第12项任一项所述之含共同封装晶片的半导体装置,其中该外部导电性夹具(outerconductive clip)系一金属容器(mental can)。图式简单说明:图1系根据本发明第一实施例,一种半导体装置的上方平面图。图2显示本发明第一实施例,以图1线1-1的方向观察的剖面图。图3系根据本发明的一个层面,内部夹具(inner clip)的侧面图。图4系根据本发明的一个层面,图3所示,内部夹具(inner clip)的上方平面图。图5系根据本发明的第二实施例,一个层面,图3所示,内部夹具(inner clip)的上方平面图。图6系根据本发明的第二实施例,于图5线2-2的方向观察的剖面图。图7系根据本发明的第一实施例,连接到一个基板的半导体装置。图8系根据本发明的第二实施例,连接到一个基板的半导体装置。 |
