| 发明名称 | 用于逻辑集成电路的嵌入式电容结构 | ||
| 摘要 | 一种制作垂直三维金属绝缘金属电容结构(MIMcapacitor structure，metainsulator－metal capacitor structure)的方法。本方法是利用在一底材上制作一垂直三维金属绝缘金属电容结构且与铜镶嵌结构相容，以减少在相等的电容量时，在逻辑电路中电容结构的面积，因此，可以提高垂直三维电容结构的电容密度。此外，在本发明中提供一种在逻辑集成电路中整合铜镶嵌制程，制作垂直三维金属绝缘金属电容结构的方法，且其制程相容于铜镶嵌结构的制程，使得形成电容结构时所需的光罩数目可以减少，即减少制程步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN1459858A | 申请公布日期 | 2003.12.03 |
| 申请号 | CN03100966.2 | 申请日期 | 2003.01.02 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 蔡腾群;许嘉麟;郑懿芳;林义雄 |
| 分类号 | H01L27/02;H01L21/82 | 主分类号 | H01L27/02 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 任永武 |
| 主权项 | 1.一种用于逻辑集成电路中的嵌入式电容元件，其特征在于，包含：一底材；一电容结构是垂直于该底材上；及一镶嵌结构位于该底材上且邻近于该电容结构。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行二路三号 | ||