| 发明名称 | 在碳化硅基衬底上获得高速电学材料结构的方法 | ||
| 摘要 | 本发明一种在碳化硅基衬底上获得高速电学材料结构的方法，包括如下步骤：1)取表面生长有碳化硅单晶层的硅材料或碳化硅单晶材料，进行清洗处理，作为高速器件结构的外延的衬底；2)在碳化硅单晶外延层上生长晶格渐变过渡层；3)进行电学结构生长；4)利用获得的材料制作器件或电路；5)器件或电路正面工艺结束后，将背面的硅去掉，以保证器件的良好散热性能。 | ||
| 申请公布号 | CN1459822A | 申请公布日期 | 2003.12.03 |
| 申请号 | CN02119900.0 | 申请日期 | 2002.05.17 |
| 申请人 | 中国科学院微电子中心 | 发明人 | 张海英 |
| 分类号 | H01L21/00;H01L21/20 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种在碳化硅基衬底上获得高速电学材料结构的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)取表面生长有碳化硅单晶层的硅材料或碳化硅单晶材料，进行清洗处理，作为高速器件结构的外延的衬底；2)在碳化硅单晶外延层上生长晶格渐变过渡层；3)进行电学结构生长；4)利用获得的材料制作器件或电路；5)器件或电路正面工艺结束后，将背面的硅去掉，以保证器件的良好散热性能。 | ||
| 地址 | 100029北京市德胜门外祁家豁子 | ||