发明名称 复合电子器件
摘要 本发明提供高频响应性能优良的薄型复合电子器件,所述复合电子器件以下述方式构成:在多孔质瓣金属薄层体的单面上设置电介质膜、固体电解质层、集电体层、用绝缘层覆盖这些部分,在经这样的加工后的器件和所述绝缘层的至少一面上裸露出分别与第一连接端子以及第二连接端子相连接的导电体,在所述导电体上形成连接焊点,用以连接集成电路和其他电子元件。
申请公布号 CN1460273A 申请公布日期 2003.12.03
申请号 CN02801010.8 申请日期 2002.03.27
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 御堂勇治;是近哲广;高木诚司;藤井达雄;益见英树
分类号 H01G4/40 主分类号 H01G4/40
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 杨梧;马高平
主权项 1.一种复合电子器件,包括:电容器部(200)、至少形成在所述的绝缘层的一面上并与所述的电容部电连接的表面连接端子部(12),在与所述的连接部同一面上设置的多个配线图形(15),和在所述绝缘部的侧面上与所述的电容部成电连接的外部端子(13,14);其中所述电容器包括:在一面上具有多孔质表面和在所述的多孔质表面上形成的电介质膜(3)的多孔质瓣金属薄层体(1),设置在所述多孔质瓣金属薄层体的另一面上的连接端子(2),在所述的电介质膜上形成的固体电解质层(4),在所述固体电解质上形成的第二连接端子(6),在所述瓣金属薄层体和所述第一连接端子以及所述第二连接端子上形成的绝缘部(7),贯通所述绝缘层到达所述第一连接端子上的第一孔(8),为了贯通所述的绝缘层和所述的瓣金属薄层体到达第二连接端子而形成并在其内壁上有绝缘膜的第二孔(9),和在所述第一孔以及第二孔内与所述的第一连接端子以及第二连接端子电连接并与其他部分绝缘形成的导电体(101,111)。
地址 日本大阪府