| 发明名称 |
Method of controlling stress in a polycrystalline SiGe layer deposited on a substrate |
| 摘要 |
<p>A method of controlling the stress in a polycrystalline SiGe layer deposited on a substrate by varying the deposition pressure. <IMAGE></p> |
| 申请公布号 |
EP1263056(A3) |
申请公布日期 |
2003.12.03 |
| 申请号 |
EP20020077978 |
申请日期 |
1998.03.26 |
| 申请人 |
INTERUNIVERSITAIR MICRO-ELEKTRONICA CENTRUM |
发明人 |
FIORINI, PAOLO;SEDKY, SHERIF;CAYMAX, MATTY;BAERT, CHRISTIAAN |
| 分类号 |
G01J1/02;B81B3/00;B81C1/00;G01J5/20;H01L31/0248;H01L31/09;H01L31/18;(IPC1-7):H01L31/18;H01L21/320 |
主分类号 |
G01J1/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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