发明名称 具有记忆体装置之积体电路、及测试此种积体电路之方法
摘要 一种带有记忆体装置之积体电路,其测试方法系于积体电路内部传输(i)一位址信号其指示一记忆体位址,(ii)一资料信号其指示该位址之资料,以及(iii)对各记忆体装置传输一各别指令信号,该指令信号指示该资料是否将写至各别记忆体装置。监视由各记忆体装置输出之资料以及至少部分其接收之资料。因资料系于晶片外部产生,故积体电路无须BIST模组来于测试模期间对记忆体装置之全部输入产生确切已知信号。输入记忆体装置之信号以足够准确度监视,若信号系因积体电路上记忆体装置以外之错误导致讹误,将发现该事实,且记忆体装置不致于被不正确地归咎产生该项错误。
申请公布号 TW200307296 申请公布日期 2003.12.01
申请号 TW092107295 申请日期 2003.03.31
申请人 因芬奈昂技术股份有限公司 发明人 普拉夏恩特 巴拉卡莱希纳恩
分类号 G11C29/00 主分类号 G11C29/00
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 德国