以MoSi2为主成份之发热体

摘要

本发明系关于一种以MoSi2为主成分之发热体，系由含有MoSi2为主成分达80wt%以上、其余为SiO2所构成者；其特征在于，在该发热体中所含之杂质之Fe、Cr、Ni的含有量分别为100wtppm以下。本发明所提供之发热体，其不但能活用集积性高、高温化与温度控制容易、加热时之变形(扭曲)与短路等故障少此等以MoSi2为主成分之发热体的特征，且污染物质(杂质)少、特别适用于半导体制造装置用热处理炉(含氧化、扩散炉)。

主权项

1.一种以MoSi2为主成分之发热体,系由含有MoSi2为主成分达80wt%以上、其余为SiO2所构成者;其特征在于,在该发热体中所含之杂质之Fe、Cr、Ni的含有量分别为100wtppm以下。2.一种以MoSi2为主成分之发热体,系由含有MoSi2为主成分达80wt%以上、其余为SiO2所构成者;其特征在于,在该发热体中所含之杂质之Fe、Cr、Ni的含有量分别为50wtppm以下。3.如申请专利范围第1或2项之以MoSi2为主成分之发热体,其中,杂质之Al、Mg、Na、K、Mn、Cu、B分别为10wtppm以下。4.如申请专利范围第1或2项之以MoSi2为主成分之发热体,其中,不计气体成分之其他杂质的总含有量为100wtppm以下。5.如申请专利范围第1或2项之以MoSi2为主成分之发热体,其中,不计气体成分之其他杂质的总含有量为50wtppm以下。6.如申请专利范围第1或2项之以MoSi2为主成分之发热体,系使用于半导体制造装置用热处理炉。7.如申请专利范围第1或2项之以MoSi2为主成分之发热体,系含有以MoSi2为主成分达90wt%以上之发热体。