| 摘要 |
<p>La présente invention concerne un dispositif CMOS et un procédé de fabrication de ce dernier. Selon l'invention, on utilise des contacts à barrière de Schottky dans la fabrication des contacts de source et/ou drain dans le contexte d'un dispositif CMOS et de circuits intégrés CMOS afin d'éliminer la nécessité d'implants en halo/en poches, d'extensions superficielles de source/drains pour réguler les effets de canal court, les étapes d'implantation de puits et les étapes complexes d'isolement du dispositif. En outre, la présente invention permet d'éliminer le gain bipolaire parasite associé au fonctionnement du dispositif CMOS, de réduire les coûts de fabrication, de renforcer le contrôle des paramètres de performance du dispositif, et elle offre des caractéristiques de dispositif supérieures en comparaison avec l'état antérieur de la technique. Dans un mode de réalisation, l'invention fait appel à un processus de masque d'exclusion de siliciure pour former le double contact de source et/ou drain à barrière de Schottky au siliciure destiné aux dispositifs PMOS et NMOS complémentaires constituant le dispositif CMOS de l'invention.</p> |
