| 主权项 |
1.一种低介电常数材料之表面处理方法,包括下列步骤:沈积一低介电常数材料于一半导体基底上而形成一介电层;以及对该介电层施行一氢气之电浆处理程序,以降低介电层之介电常数。2.如申请专利范围第1项所述之低介电常数材料之表面处理方法,其中该低介电常数材料系以化学气相沈积法或旋涂方式沈积在基底上。3.如申请专利范围第1项所述之低介电常数材料之表面处理方法,其中该电浆处理程序系以电浆化学气相沈积法或高密度电浆化学气相沈积法施行。4.如申请专利范围第1项所述之低介电常数材料之表面处理方法,其中该电浆处理程序之处理时间介于10~40秒之间。5.如申请专利范围第1项所述之低介电常数材料之表面处理方法,其中该电浆处理程序之处理温度介于20~500℃之间,处理压力介于1T~7T之间。6.如申请专利范围第1项所述之低介电常数材料之表面处理方法,其中该电浆处理程序之气体流速介于100~2000sccm之间。7.如申请专利范围第1项所述之低介电常数材料之表面处理方法,其中该该电浆处理程序之操作功率介于50~3000W之间。8.一种低介电常数材料之表面处理方法,包括下列步骤:沈积一低介电常数材料于一半导体基底上而形成一介电层;定义一开口于该介电层中;沈积一铜金属层于该介电层上,并填满上述开口;以化学机械研磨法去除该开口以外之铜金属层;以及施行一氢气之电浆处理程序,以除去介电层与铜金属层表面之氧化铜,并降低介电层之介电常数。9.如申请专利范围第8项所述之低介电常数材料之表面处理方法,其中该低介电常数材料系以化学气相沈积法或旋涂方式沈积在基底上。10.如申请专利范围第8项所述之低介电常数材料之表面处理方法,其中该电浆处理程序系以电浆化学气相沈积法或高密度电浆化学气相沈积法施行。11.如申请专利范围第8项所述之低介电常数材料之表面处理方法,其中该电浆处理程序之处理时间介于1~40秒之间。12.如申请专利范围第8项所述之低介电常数材料之表面处理方法,其中该电浆处理程序之处理温度介于20~500℃之间,处理压力介于1T~7T之间。13.如申请专利范围第8项所述之低介电常数材料之表面处理方法,其中该电浆处理程序之气体流速介于100~2000sccm之间。14.如申请专利范围第8项所述之低介电常数材料之表面处理方法,其中该电浆处理程序之操作功率介于50~300W之间。15.如申请专利范围第8项所述之低介电常数材料之表面处理方法,其中沈积该铜金属层之前更包括:于上述开口的底部与侧壁沈积一阻障层。16.如申请专利范围第15项所述之低介电常数材料之表面处理方法,其中该阻障层的材质系择自下列所组成之群组:氮化钛(TiN),钽(Ta),氮化钽(TaN),以及氮化钨(WN)。图式简单说明:第1A~1F图为一系列剖面图,用以说明本发明一较佳实施例之镶嵌式铜制程。 |
