发明名称 化合物半导体晶片的制备方法
摘要 化合物半导体晶片的制备方法,其中颗粒附着、正表面氧化和变质是轻微的并且减少了有机溶剂的用量。吸附垫结合在抛光盘上,不需要使用蜡将晶片吸附在吸附垫上进行抛光后,不用干燥而存放在净化水中。由于在净化水中存放,所以颗粒附着、正表面氧化和变质变得轻微,从而可以得到高质量的晶片。在紧接着水中存放的清洗程序中,可以省略有机溶剂清洗。这使得使用/浪费有毒有机溶剂的数量减少。
申请公布号 CN1457507A 申请公布日期 2003.11.19
申请号 CN02800537.6 申请日期 2002.03.01
申请人 住友电气工业株式会社 发明人 冈本贵敏;目崎义雄;森本俊之
分类号 H01L21/304 主分类号 H01L21/304
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 贾静环;宋莉
主权项 1.化合物半导体晶片的制备方法,特征在于所述化合物半导体晶片不使用有机物而是吸附固定在抛光盘上,而所述抛光盘结合有吸附垫,将晶片压在抛光压盘上进行抛光,在从抛光盘上取下后,不需干燥在净化水中进行水中存放。
地址 日本大阪府