发明名称
摘要 A compound semiconductor device includes a substrate and a group III-V compound semiconductor layer provided on the substrate, wherein the group III-V compound semiconductor layer contains As as a group V element and Tl as a group III element.
申请公布号 JP3467153(B2) 申请公布日期 2003.11.17
申请号 JP19960246977 申请日期 1996.08.30
申请人 发明人
分类号 H01L31/0304;H01L33/06;H01L33/30;H01L33/40;H01S5/00;H01S5/183;H01S5/323;H01S5/343 主分类号 H01L31/0304
代理机构 代理人
主权项
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