半导体激光器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体激光器件的制造方法，其中在n型GaAs衬底21上形成AlGaAs基半导体激光器29，之后，形成非掺杂GaAs保护层30。当通过刻蚀AlGaAs基半导体激光器29的部分区域进行除去，露出n型衬底21时，可防止杂质Zn从p型GaAs接触层28蒸发。还可防止由于p型接触层28的载流子密度的减少造成的与p型电极的接触特性下降。此外，可防止从p型接触层28蒸发的杂质再次附着到露出的n型衬底21上。在连续形成AlGaInP基半导体激光器38时，不会形成其中n型GaAs衬底21和再次附着的杂质互相混合的层，并可提高长期操作的可靠性。

主权项

1、一种半导体激光器件的制造方法，用于形成具有多个发光区的半导体激光器件，该方法包括以下步骤：通过第一次晶体生长，在一半导体衬底上形成包括位于最上层位置的一接触层的一第一半导体激光器层；在该第一半导体激光器层的接触层上形成一非掺杂半导体层；通过除去在其上形成了该非掺杂半导体层的该第一半导体激光器层的除了成为一第一发光区的区域以外的区域，露出该半导体衬底；通过第二次晶体生长形成一第二半导体激光器层；以及通过除去该第二半导体激光器层中除了成为一第二发光区的区域以外的该第二半导体激光器层的区域以及去除该非掺杂半导体层，露出该第一半导体激光器层的接触层。