| 主权项 |
1.一种肖特基屏障二极体,系具备有:无掺杂化合物半导体;设置于该基板上的平坦一导电型磊晶层;从阳极焊垫固接区域中所设置的该磊晶层表面起,到达该无掺杂化合物半导体基板的绝缘化区域;由该磊晶层表面所形成的肖特基接合延伸的阳极电极;构成层间绝缘膜的氮化膜;将该阳极再延伸,而直接固接于该阳极焊垫固接区域之该磊晶层表面上的阳极焊垫;以及固接于该阳极焊垫上的焊接线。2.如申请专利范围第1项之肖特基屏障二极体,其中该绝缘化区域系依包围着该阳极焊垫外围而设置。3.一种肖特基屏障二极体,系具备有:无掺杂化合物半导体;设置于该基板上的平坦一导电型磊晶层;设置于阳极固接区域之该磊晶层上的一导电型高浓度区域;设置成包围该高浓度区域,并从该磊晶层表面起到达该无掺杂化合物半导体基板的绝缘化区域;由该磊晶层表面所形成的肖特基接合延伸的阳极电极;构成层间绝缘膜的氮化膜;将该阳极电极再延伸,而直接固接于该阳极焊垫固接区域之该磊晶层表面上的阳极焊垫;以及固接于该阳极焊垫上的焊接线。4.如申请专利范围第3项之肖特基屏障二极体,其中该高浓度区域系设计呈由该阳极焊垫之磊晶层抵接部突出的状态。5.如申请专利范围第1项或第3项之肖特基屏障二极体,其中该磊晶层表面上,具有无掺杂InGaP层表面保护层。6.如申请专利范围第1项或第3项之肖特基屏障二极体,其中该阳极焊垫系仅由蒸镀金属层所构成。7.如申请专利范围第1项或第3项之肖特基屏障二极体,其中该绝缘化区域与相邻电极下方,设置一导电型的另一高浓度区域。8.一种肖特基屏障二极体之制造方法,系包含有:准备层积于无掺杂化合物半导体基板上的一导电型磊晶层之步骤;形成从预定的阳极焊垫固接区域之一导电型磊晶层的表面起,到达该无掺杂化合物半导体基板的绝缘化区域之步骤;于整面设置氮化膜,并在该磊晶层表面上形成肖特基接合,且形成由该肖特基接合延伸的阳极电极,并更延伸该阳极电极而形成直接固接于该阳极焊垫固接区域之该磊晶层表面上的阳极焊垫之步骤;以及将焊接线固接于该阳极焊垫上的步骤。9.一种肖特基屏障二极体之制造方法,系包含有:准备层积于无掺杂化合物半导体基板上的一导电型磊晶层之步骤;在预定的阳极焊垫固接区域上形成一导电型高浓度区域,并包围该高浓度区域,而从该磊晶层表面起到达该无掺杂化合物半导体基板的绝缘化区域之步骤;于整面设置氮化膜,并在该磊晶层表面上形成肖特基接合,且形成由该肖特基接合延伸的阳极电极,并更延伸该阳极电极而形成直接固接于该阳极焊垫固接区域之该磊晶层表面上的阳极焊垫之步骤;以及将焊接线固接于该阳极焊垫上的步骤。10.如申请专利范围第8项或第9项之肖特基屏障二极体之制造方法,其中该绝缘化区域系经离子植入而形成。11.如申请专利范围第8项或第9项之肖特基屏障二极体之制造方法,其中该阳极焊垫系仅由依序蒸镀Ti/Pt/Au的金属层所构成。图式简单说明:第1图系说明本发明之半导体装置的剖视图。第2图系说明本发明之半导体装置的平面图。第3图系说明本发明之半导体装置的剖视图。第4图系说明本发明之半导体装置的剖视图。第5图系说明本发明之半导体装置之制造方法的剖视图。第6图系说明本发明之半导体装置之制造方法的剖视图。第7图系说明本发明之半导体装置之制造方法的剖视图。第8图系说明本发明之半导体装置之制造方法的剖视图。第9图系说明本发明之半导体装置之制造方法的剖视图。第10图系说明本发明之半导体装置的剖视图。第11图系说明本发明之半导体装置的平面图。第12图系说明本发明之半导体装置的剖视图。第13图系说明本发明之半导体装置之制造方法的剖视图。第14图系说明本发明之半导体装置之制造方法的剖视图。第15图系说明本发明之半导体装置之制造方法的剖视图。第16图系说明本发明之半导体装置之制造方法的剖视图。第17图系说明本发明之半导体装置之制造方法的剖视图。第18图系说明习知半导体装置的剖视图。第19图系说明习知半导体装置的平面图。第20图系说明习知半导体装置之制造方法的剖视图。第21图系说明习知半导体装置之制造方法的剖视图。第22图系说明习知半导体装置之制造方法的剖视图。第23图系说明习知半导体装置之制造方法的剖视图。第24图系说明习知半导体装置之制造方法的剖视图。 |
