| 主权项 |
1.一种积体型肖特基屏障二极体,系在化合物半导体基板上的一个晶片上,具有复数个肖特基屏障二极体之肖特基屏障二极体,其特征为:藉由离子植入所形成的绝缘化区域来分离上述各肖特基屏障二极体。2.如申请专利范围第1项之积体型肖特基屏障二极体,其中,上述肖特基屏障二极体的至少一个电极与另一个肖特基屏障二极体的电极相连接。3.如申请专利范围第1项之肖特基屏障二极体,其中,形成上述各肖特基屏障二极体的欧姆电极、肖特基接合的电极,系设置于积层在未掺杂化合物半导体基板上之平坦的n导电型磊晶层上。4.如申请专利范围第3项之积体型肖特基屏障二极体,其中,上述绝缘化区域的设置深度系可到达上述未掺杂化合物半导体基板。5.一种积体型肖特基屏障二极体,系在化合物半导体基板上的一个晶片上,具有阳极端子、阴极端子及共用端子,且具有复数个肖特基屏障二极体之积体型肖特基屏障二极体,其特征为:藉由离子植入所形成的绝缘化区域来分离上述各肖特基屏障二极体。6.如申请专利范围第5项之积体型肖特基屏障二极体,其中,共用电极系连接于有阳极电极连接于阳极端子之肖特基屏障二极体的阴极电极,同时,亦连接于有阴极电极连接于阴极端子之肖特基屏障二极体的阳极电极。7.如申请专利范围第5项之积体型肖特基屏障二极体,其中,连接上述共用端子的电极系设于晶片的对角线上,且具有2个引线搭接区域。8.如申请专利范围第5项之积体型肖特基屏障二极体,其中,形成上述各肖特基屏障二极体的的欧姆电极、及肖特基接合的电极,系设置于积层在未掺杂化合物半导体基板上之平坦的n导电型磊晶层上。9.如申请专利范围第8项之积体型肖特基屏障二极体,其中,上述绝缘化区域的设置深度系可到达上述未掺杂化合物半导体基板。10.如申请专利范围第1或5项之积体型肖特基屏障二极体,其中,上述各肖特基屏障二极体具有复数个肖特基接合。11.一种积体型肖特基屏障二极体的制造方法,其特征为:在化合物半导体基板上的一个晶片上,形成复数个肖特基屏障二极体的肖特基接合之前,具有藉由离子植入来形成绝缘化区域,以分离上述各肖特基屏障二极体之步骤。12.如申请专利范围第11项之积体型肖特基屏障二极体的制造方法,其特在具备:于未掺杂化合物半导体基板上,积层n导电型磊晶层之步骤;藉由离子植入,形成深度可到达上述未掺杂化合物半导体基板之绝缘膜的步骤;于一个晶片上,藉由上述绝缘膜区域,形成阴极电位分离之复数个肖特基屏障二极体的步骤。13.如申请专利范围第11或12项之积体型肖特基屏障二极体的制造方法,其特征在具备:于上述肖特基屏障二极体的形成步骤中,形成连接复数个肖特基屏障二极体之共用电极之步骤。图式简单说明:第1图系用以说明本发明半导体装置的(A)平面图、(B)电路图。第2图系用以说明本发明半导体装置的剖视图。第3图系用以说明本发明半导体装置的平面图。第4图系用以说明本发明半导体装置的制造方法之剖视图。第5图系用以说明本发明半导体装置的制造方法之剖视图。第6图系用以说明本发明半导体装置的制造方法之剖视图。第7图系用以说明本发明半导体装置的制造方法之剖视图。第8图系用以说明习知半导体装置的(A)平面图、(B)电路图。第9图系用以说明习知半导体装置的剖视图。第10图系用以说明习知半导体装置的制造方法之剖视图。第11图系用以说明习知半导体装置的制造方法之剖视图。第12图系用以说明习知半导体装置的制造方法之剖视图。第13图系用以说明习知半导体装置的制造方法之剖视图。第14图系用以说明习知半导体装置的制造方法之剖视图。 |
