发明名称 铟锡氧化物靶材的制备方法
摘要 本发明涉及一种铟锡氧化物靶材的制备方法,包括铟锡混合盐溶液的制备、溶液的均相共沉淀、沉淀物的煅烧、氧化物脱氧、冷等静压、热等静压等步骤,其特征在于:所述的均相共沉淀的添加剂为柠檬酸或酒石酸;煅烧是将沉淀物在温度400-1200℃、氧气浓度22-35%的条件下,于隧道窑中进行;脱氧是在温度300-600℃,氢气流量1-3立方米/小时,反应时间15-60分钟,脱氧率控制6-20%的管式炉中进行;冷等静压二次成型的压力和保压时间分别是80-120MPa、1-5分钟和150-200MPa、5-10分钟;热等静压是将坯件置于具有隔离材料的包套中,在热等静压机中进行烧结。本发明主要用于液晶显示。
申请公布号 CN1453392A 申请公布日期 2003.11.05
申请号 CN03118371.9 申请日期 2003.05.10
申请人 株洲冶炼集团有限责任公司 发明人 龚鸣明;刘朗明;肖卫军;彭小苏
分类号 C23C14/34;C23C14/08;C04B35/457;C04B35/622 主分类号 C23C14/34
代理机构 株洲市长江专利事务所 代理人 刘国鼎
主权项 1、一种铟锡氧化物靶材的制备方法,包括以下步骤:A、铟锡混合盐溶液的制备;B、溶液的均相共沉淀;C、沉淀物的煅烧;D、铟锡氧化物的预还原脱氧;E、铟锡氧化物冷等静压二次成型;F、铟锡氧化物坯件的热等静压烧结;G、靶材的脱模;H、靶材的切割成产品;其特征在于:(1)B中所述的均相共沉淀的添加剂为柠檬酸或酒石酸;(2)C中所述的煅烧是将沉淀物在温度400-1200℃,氧气浓度22-35%的条件下,于隧道窑中进行的煅烧;(3)D中所述的预还原脱氧,是在温度300-600℃,氢气流量1-3立方米/小时,反应时间15-60分钟,脱氧率控制为6-20%的管式炉中进行的;(4)E中所述的冷等静压二次成型,是将铟锡氧化物粉末,在压力80-120Mpa,保压时间1-5分钟的条件下,于冷等静压机中预压成粗坯,再将粗坯破碎成粒并在压力150-200Mpa、保压时间5-10分钟的条件下,于冷等静压机中压制成坯件;(5)F中所述的的铟锡氧化物的热等静压烧结,是将坯件置于具有隔离材料的包套中,于热等静压机中进行烧结。
地址 412004湖南省株洲市石峰区清水塘
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