一种降低快闪存储器随机位故障的方法

摘要

本发明提供一种高栅极耦合比堆叠栅极非易失性存储器的制作方法。本发明包括有下列步骤：提供一衬底，该衬底表面包含有一沟道区域以及一位线区域；于该衬底的沟道区域上形成一堆叠层，其中该堆叠层包含有一多晶硅层以及一牺牲层形成于该多晶硅层的上方；沉积一介电层，覆盖该沟道区域以及该位线区域，其中该位线区域上的该介电层厚度大于该多晶硅层厚度，但是小于该堆叠层厚度；各向同性干法蚀刻一预定厚度的该介电层，以暴露出部分该牺牲层，并将该介电层分为两个不相接触的第一部分介电层以及第二部分介电层，其中该第一部分介电层位于该牺牲层的上方；以及去除该牺牲层以及该第一部分介电层。

主权项

1.一种快闪存储器的制作方法，该方法包含有下列步骤：提供一衬底，该衬底表面包含有一沟道区域以及一位线区域；于该衬底的沟道区域上形成一堆叠层，其中该堆叠层包含有一多晶硅层以及一牺牲层形成于该多晶硅层的上方；沉积一介电层，覆盖该沟道区域及该位线区域，其中该位线区域上的该介电层厚度大于该多晶硅层厚度，但小于该堆叠层厚度；各向同性干法蚀刻一预定厚度的该介电层，以暴露出部分该牺牲层，并将该介电层分为两不相接触的第一部分介电层及第二部分介电层，其中该第一部分介电层位于该牺牲层的上方；以及去除该牺牲层以及该第一部分介电层。