| 主权项 |
1.一种半球型矽晶粒之制造方法,该方法包括:提供一基底,将该基底置入于一反应室中,以形成一掺杂非晶矽层;于该反应室中通入一反应气体,进行一第一回火制程,以于该掺杂非晶矽层表面形成一半球型矽晶粒层;进行一第二回火制程,使该半球型矽晶粒层与该掺杂非晶矽层产生结晶,强化该半球型晶粒层之结构;进行一清洗制程,移除该半球型晶粒层表面之一原生氧化物;以及于该反应室中通入一掺杂气体,进行一第三回火制程,以使掺质驱入该半球型矽晶粒层中。2.如申请专利范围第1项所述之半球型矽晶粒之制造方法,其中该第二回火制程之温度为650℃至700℃。3.如申请专利范围第1项所述之半球型矽晶粒之制造方法,其中该反应气体包括矽烷。4.如申请专利范围第3项所述之半球型矽晶粒之制造方法,其中该第一回火制程之温度为550℃至570℃。5.如申请专利范围第1项所述之半球型矽晶粒之制造方法,其中该第三回火制程之温度为600℃至750℃。6.如申请专利范围第1项所述之半球型矽晶粒之制造方法,其中该掺杂气体包括磷化氢。7.如申请专利范围第1项所述之半球型矽晶粒之制造方法,其中该清洗制程系以一氢氟酸溶液进行。8.一种半球型矽晶粒之制造方法,该方法包括:提供一基底;于该基底上形成一掺杂非晶矽层;于该掺杂非晶矽层表面形成一半球型矽晶粒层;进行一第一回火制程,使该半球型矽晶粒层与该掺杂非晶矽层产生结晶,强化该半球型晶粒层之结构;移除该半球型晶粒层表面之一原生氧化物;以及进行一掺质驱入步骤,使该半球型矽晶粒层成为一掺杂半球型矽晶粒层。9.如申请专利范围第8项所述之半球型矽晶粒之制造方法,其中该第一回火制程之温度为650℃至700℃。10.如申请专利范围第8项所述之半球型矽晶粒之制造方法,其中于该掺杂非晶矽层表面形成该半球型矽晶粒层之步骤包括:于反应室中通入矽烷做为气体源,以使矽烷与该掺杂非晶矽层之矽成分形成晶核种;以及进行一第二回火制程,以使该掺杂非晶矽层的矽原子迁移、聚集,而形成矽晶粒。11.如申请专利范围第10项所述之半球型矽晶粒之制造方法,其中该第二回火制程之温度为550℃至570℃。12.如申请专利范围第8项所述之半球型矽晶粒之制造方法,其中该掺质驱入步骤包括:于反应室中通入一掺杂气体;以及进行一第三回火制程,使该掺杂气体裂解后所形成之离子掺杂该半球型矽晶粒层。13.如申请专利范围第12项所述之半球型矽晶粒之制造方法,其中该第三回火制程之温度为600℃至750℃。14.如申请专利范围第12项所述之半球型矽晶粒之制造方法,其中该掺杂气体包括磷化氢。图式简单说明:第1A图至第1D图系绘示根据本发明之一较佳实施例之半球型矽晶粒之制造方法之制造流程的剖面示意图。 |
