| 主权项 |
1.一种研磨装置,其特征系具备:研磨构件,在内面具有大致圆锥状之研磨面;旋转部,可使前述研磨构件沿前述大致圆锥状之研磨面之轴的周围旋转;保持部,用以边旋转边保持基板;及移动部,移动前述保持部,俾使前述基板之边缘部以既定角度接触于前述研磨面。2.如申请专利范围第1项之研磨装置,其中,前述研磨构件系由第1研磨部及第2研磨部所构成,前述第1研磨部之研磨面系呈沿前述旋转部之轴方向往下侧扩大之大致圆锥状;前述第2研磨部之研磨面系呈沿前述旋转部之轴方向往上侧扩大之大致圆锥状;前述移动部系移动前述保持部,俾使前述基板之边缘部选择性地与前述第1研磨部之研磨面、及前述第2研磨部之研磨面接触。3.如申请专利范围第1或2项之研磨装置,其中,设置有研磨液供给部,供给研磨液至前述研磨构件;及研磨液回收部,由下方覆盖前述大致圆锥状之空间。4.如申请专利范围第1或2项之研磨装置,其中,前述研磨构件之研磨面,在至少与前述基板接触之部分,配置成相对于前述旋转部之旋转轴倾斜30~70度。5.一种研磨装置,系研磨基板之边缘部,其特征系具备:第1研磨部,具有第1研磨面,用以研磨前述边缘部上侧之斜面;第2研磨部,具有第2研磨面,用以研磨前述边缘部下侧之斜面;及接触部,以既定角度将前述基板之边缘部之前述上侧之斜面接触于前述第1研磨面,并且,以既定角度将前述下侧之斜面接触于前述第2研磨面。6.如申请专利范围第5项之研磨装置,其中,前述第1研磨部具有第1研磨构件(在内面具有大致圆筒状之第1研磨面),并且可在前述大致圆筒状之第1研磨面之轴的周围旋转;前述第2研磨部具有第2研磨构件(在内面具有相对于前述轴偏心而定位之大致圆筒状之第2研磨面),并且可在前述大致圆筒状之第2研磨面之轴的周围旋转;并具有保持部,用以边旋转边保持基板。7.一种研磨装置,其特征系具有:研磨皮带,形成有1个或2个以上之研磨面;驱动部,驱动该研磨皮带;及皮带调整部,可对应进行研磨之基板半径来调整研磨方向之曲率半径。8.如申请专利范围第7项之研磨装置,其中,在前述研磨皮带至少形成第1研磨面及第2研磨面;及具有皮带调整部,可对应进行研磨之基板半径来调整前述第1.第2研磨面之至少一方之曲率半径。9.一种研磨方法,其特征系具有:使第1研磨部(具有大致圆筒状之第1研磨面,并研磨基板之边缘部上侧之斜面)绕着前述大致圆筒状之第1研磨面之轴的周围旋转之步骤;使第2研磨部(具有大致圆筒状之第2研磨面,并研磨前述边缘部下侧之斜面)绕着前述大致圆筒状之第2研磨面之轴的周围旋转之步骤;及使前述基板之边缘部上侧之斜面与第1研磨面、以及前述边缘部下侧之斜面与第2研磨面,选择性地或同时接触之步骤。10.一种半导体晶圆之研磨方法,其特征系具有:边旋转半导体晶圆边予以保持之步骤;及以既定角度将前述半导体晶圆之边缘部接触于研磨构件(在内面具有呈大致圆锥状之研磨面,绕着前述大致圆锥状之研磨面之轴的周围旋转)之前述研磨面之步骤。11.一种半导体元件之制造方法,其特征系包含:连续进行对半导体晶圆之边缘部之研磨、及对元件形成面之CMP研磨之步骤。12.一种半导体元件之制造方法,其特征系:连续进行以申请专利范围第10项之半导体晶圆之研磨方法来进行对边缘部之研磨、及对半导体晶圆之元件形成面之CMP研磨。13.一种半导体元件之制造方法,其特征系:连续进行对半导体晶圆之元件形成面之CMP研磨、及以申请专利范围第9项之研磨方法来对边缘部之研磨。14.一种半导体元件之制造装置,其特征系连续设置:第1研磨单元,用以研磨半导体晶圆之边缘部;第2研磨单元,用以研磨半导体晶圆之元件形成面;及洗净室,针对以前述第2研磨单元所研磨后之半导体晶圆进行洗净处理。图式简单说明:图1系表示本发明之第1实施形态之研磨装置之构造之截面图。图2系以研磨装置来研磨半导体晶圆之边缘部之状态之立体图。图3系作用于附着在研磨面之泥状研磨液之力之说明图。图4系表示半导体晶圆之边缘部的形状之图。图5系边缘研磨时之研磨构件与半导体晶圆之角度之说明图。图6系研磨面的倾斜角度与半导体晶圆的角度之关系之说明图。图7系对构成研磨构件之研磨布的鼓轮内壁之贴合方法之示意图。图8系在鼓轮设置研磨构件之范例之示意图。图9系在辅助板设置开口的形状之示意图。图10系表示本发明之第2实施形态之研磨装置之图。图11表示本发明之第3实施形态之研磨装置100之构造之截面图。图12系以研磨装置来研磨半导体晶圆之边缘部之状态之立体图。图13表示本发明之第4实施形态之研磨装置之构造图。图14表示本发明之第4实施形态之研磨装置之要部之立体图。图15系表示研磨皮带与彗形构件之位置关系之截面图。图16系表示彗形构件之立体图。图17系表示在曲面配置有滚子之彗形构件之立体图。图18系表示本发明之实施形态之半导体制造装置之图。图19系将半导体制造装置用于半导体元件之制程之示意图。图20系表示习知之研磨装置50之图。 |
