发明名称 半导体装置
摘要 本发明所要解决的问题是当制造具有单极TFT的电路时,由于TFT的临界值输出振幅衰减的问题。在电容(105)中,储存了等于TFT(104)临界值的电荷。当输入讯号时,储存在电容(105)中的临界值加入到输入讯号的电位。如此得到的电位施加到TFT(101)的闸极电极。因此,可以从输出端(Out)得到具有正常振幅的输出,同时不会在TFT(101)中引起振幅衰减。
申请公布号 TW560075 申请公布日期 2003.11.01
申请号 TW091116039 申请日期 2002.07.18
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 发明人 木村肇
分类号 H01L29/786 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种半导体装置,包含:第一、第二、第三和第四电晶体和电容机构;其中第一、第二、第三和第四电晶体为相同导电类型,其中电容机构的第一电极电连接到第一讯号输入端,电容机构的第二电极电连接到第一电晶体的闸极电极,其中第二电晶体的闸极电极电连接到第二讯号输入端,其中第一电晶体的输入电极电连接到第一电源,第一电晶体的输出电极电连接到讯号输出端,其中第二电晶体的输入电极电连接到第二电源,第二电晶体的输出电极电连接到讯号输出端,其中第三电晶体的闸极电极和输出电极电连接到讯号输出端,第三电晶体的输入电极电连接到电容机构的第二电极,以及其中第四电晶体的闸极电极和输出电极电连接到电容机构的第二电极,第四电晶体的输入电极电连接到电容机构的第一电极。2.一种半导体装置,包含:第一、第二、第三和第四电晶体和电容机构;其中第一、第二、第三和第四电晶体为相同导电类型,其中电容机构的第一电极电连接到第一讯号输入端,电容机构的第二电极电连接到第一电晶体的闸极电极,其中第二电晶体的闸极电极电连接到第二讯号输入端,其中第一电晶体的输入电极电连接到第一电源,第一电晶体的输出电极电连接到讯号输出端,其中第二电晶体的输入电极电连接到第二电源,第二电晶体的输出电极电连接到讯号输出端,其中第三电晶体的闸极电极和输出电极电连接到讯号输出端,第三电晶体的输入电极电连接到电容机构的第二电极,以及其中第四电晶体的闸极电极电连接到电容机构的第二电极,第四电晶体的输入电极电连接到电容机构的第一电极,第四电晶体的输出电极电连接到讯号输出端。3.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该电容机构具有将储存在该电容机构中的电压加入到由第一讯号输入端输入并输入到第一电晶体的闸极电极的讯号的功能。4.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中该电容机构具有将储存在该电容机构中的电压加入到由该第一讯号输入端输入并输入到该第一电晶体的闸极电极的讯号上的功能。5.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该导电类型为n型。6.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中该导电类型为n型。7.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该导电类型为p型。8.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中该导电类型为p型。9.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该电容机构由第四电晶体的闸极电极和输入电极之间的电容形成。10.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中该电容机构由第四电晶体的闸极电极和输入电极之间的电容形成。11.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该电容机构由选自主动层材料、形成闸极电极的材料,以及接线材料组成的组中的两种材料和该两种材料间的绝缘层形成。12.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中该电容机构由选自主动层材料、形成闸极电极的材料,以及接线材料组成的组中的两种材料和该两种材料间的绝缘层形成。13.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中藉由将输入到第一讯号输入端的讯号极性反相得到输入到该第二讯号输入端的讯号。14.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中藉由将输入到第一讯号输入端的讯号极性反相得到输入到该第二讯号输入端的讯号。15.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该半导体装置使用在一显示装置中。16.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中该半导体装置使用在一显示装置中。17.如申请专利范围第15项之半导体装置,其中该显示装置应用于一电子设备,该电子设备选自液晶显示器、OLED显示器、视频相机、笔记型个人电脑、携带型资讯终端、音频再生装置、数位相机、以及行动电话所组成之群之一。18.如申请专利范围第16项之半导体装置,其中该显示装置应用于一电子设备,该电子设备选自液晶显示器、OLED显示器、视频相机、笔记型个人电脑、携带型资讯终端、音频再生装置、数位相机、以及行动电话所组成之群之一。19.一种显示装置,包含:包含在基底上第五电晶体的图素部分;基底上的驱动器电路,包含第一、第二、第三和第四电晶体和电容机构;其中第一、第二、第三和第四电晶体为相同导电类型;其中电容机构的第一电极电连接到第一讯号输入端,电容机构的第二电极电连接到第一电晶体的闸极电极;其中第二电晶体的闸极电极电连接到第二讯号输入端;其中第一电晶体的输入电极电连接到第一电源,第一电晶体的输出电极电连接到讯号输出端;其中第二电晶体的输入电极电连接到第二电源,第二电晶体的输出电极电连接到讯号输出端;其中第三电晶体的闸极电极和输出电极电连接到讯号输出端,第三电晶体的输入电极电连接到电容机构的第二电极;以及其中第四电晶体的闸极电极和输出电极电连接到电容机构的第二电极,第四电晶体的输入电极电连接到电容机构的第一电极。20.一种显示装置,包含:包含在基底上第五电晶体的图素部分;基底上的驱动器电路,包含第一、第二、第三和第四电晶体和电容机构;其中第一、第二、第三和第四电晶体为相同导电类型;其中电容机构的第一电极电连接到第一讯号输入端,电容机构的第二电极电连接到第一电晶体的闸极电极;其中第二电晶体的闸极电极电连接到第二讯号输入端;其中第一电晶体的输入电极电连接到第一电源,第一电晶体的输出电极电连接到讯号输出端;其中第二电晶体的输入电极电连接到第二电源,第二电晶体的输出电极电连接到讯号输出端;其中第三电晶体的闸极电极和输出电极电连接到讯号输出端,第三电晶体的输入电极电连接到电容机构的第二电极;以及其中第四电晶体的闸极电极电连接到电容机构的第二电极,第四电晶体的输入电极电连接到电容机构的第一电极,第四电晶体的输出电极电连接到讯号输出端。21.如申请专利范围第19项之显示装置,其中该驱动电路包含选自移位暂存器、闩锁电路、缓冲器电路、位准移位电路和放大器所组成之群中至少一电路。22.如申请专利范围第20项之显示装置,其中该驱动电路包含选自移位暂存器、闩锁电路、缓冲器电路、位准移位电路和放大器所组成之群中至少一电路。23.如申请专利范围第19项之显示装置,其中该显示装置应用于一电子设备,该电子设备选自液晶显示器、OLED显示器、视频相机、笔记型个人电脑、携带型资讯终端、音频再生装置、数位相机、以及行动电话所组成之群之一。24.如申请专利范围第20项之显示装置,其中该显示装置应用于一电子设备,该电子设备选自液晶显示器、OLED显示器、视频相机、笔记型个人电脑、携带型资讯终端、音频再生装置、数位相机、以及行动电话所组成之群之一。25.一种发光装置,包含:包含基底上第五电晶体和电致发光元件的图素部分;基底上的驱动器电路,包含第一、第二、第三和第四电晶体和电容机构;其中第一、第二、第三和第四电晶体为相同导电类型;其中电容机构的第一电极电连接到第一讯号输入端,电容机构的第二电极电连接到第一电晶体的闸极电极;其中第二电晶体的闸极电极电连接到第二讯号输入端;其中第一电晶体的输入电极电连接到第一电源,第一电晶体的输出电极电连接到讯号输出端;其中第二电晶体的输入电极电连接到第二电源,第二电晶体的输出电极电连接到讯号输出端;其中第三电晶体的闸极电极和输出电极电连接到讯号输出端,第三电晶体的输入电极电连接到电容机构的第二电极;以及其中第四电晶体的闸极电极和输出电极电连接到电容机构的第二电极,第四电晶体的输入电极电连接到电容机构的第一电极。26.一种发光装置,包含:包含基底上第五电晶体和电致发光元件的图素部分;基底上的驱动器电路,包含第一、第二、第三和第四电晶体和电容机构;其中第一、第二、第三和第四电晶体为相同导电类型;其中电容机构的第一电极电连接到第一讯号输入端,电容机构的第二电极电连接到第一电晶体的闸极电极;其中第二电晶体的闸极电极电连接到第二讯号输入端;其中第一电晶体的输入电极电连接到第一电源,第一电晶体的输出电极电连接到讯号输出端;其中第二电晶体的输入电极电连接到第二电源,第二电晶体的输出电极电连接到讯号输出端;其中第三电晶体的闸极电极和输出电极电连接到讯号输出端,第三电晶体的输入电极电连接到电容机构的第二电极;以及其中第四电晶体的闸极电极和输出电极电连接到电容机构的第二电极,第四电晶体的输入电极电连接到电容机构的第一电极,第四电晶体的输出电极电连接到讯号输出端。27.如申请专利范围第25项之发光装置,其中该驱动电路包含选自移位暂存器、闩锁电路、缓冲器电路、位准移位电路和放大器所组成之群中至少一电路。28.如申请专利范围第26项之发光装置,其中该驱动电路包含选自移位暂存器、闩锁电路、缓冲器电路、位准移位电路和放大器所组成之群中至少一电路。29.如申请专利范围第25项之发光装置,其中该显示装置应用于一电子设备,该电子设备选自液晶显示器、OLED显示器、视频相机、笔记型个人电脑、携带型资讯终端、音频再生装置、数位相机、以及行动电话所组成之群之一。30.如申请专利范围第26项之发光装置,其中该显示装置应用于一电子设备,该电子设备选自液晶显示器、OLED显示器、视频相机、笔记型个人电脑、携带型资讯终端、音频再生装置、数位相机、以及行动电话所组成之群之一。图式简单说明:图1A和1B为说明本发明的一种实施例模式的电路结构和操作图;图2为由单极TFT形成的反相器及它的操作图;图3A和3B为说明本发明的实施例模式中电路操作时每个节点的电位图;图4显示与该实施例模式结构不同的本发明的一个实施例的图;图5A和5B为说明底闸型TFT和双闸型TFT的剖面结构图;图6A到6G显示本发明适用的电子装置的各例;图7A到7C显示液晶显示装置的制造步骤的一个例子;图8A到8C显示液晶显示装置的制造步骤的一个例子;图9A到9C显示包含由p通道TFT形成的电路的主动矩阵基底的制造步骤的一个例子;图10A和10B显示发光装置的制造步骤的一个例子;图11A和11B显示发光装置的制造步骤的一个例子;图12A到12D显示单极TFT组成的反相器多极连接的结构及它的操作图;图13A和13B显示由p通道TFT组成的本发明驱动电路的一个例子。
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