| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，其中，在形成在衬底上的层间绝缘膜中形成开孔，在开孔内形成有互连部分，其一端和所述衬底接触，还形成有金属层构成的通孔部分，位于所述的互连部分的另一端，在所述开孔中的所述通孔部分对面的内壁表面部分上形成有保护膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1126156C | 申请公布日期 | 2003.10.29 |
| 申请号 | CN99107398.3 | 申请日期 | 1999.04.15 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 横山孝司;宇佐美达矢 |
| 分类号 | H01L21/31;H01L21/768 | 主分类号 | H01L21/31 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张志醒 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，其衬底上形成的层间绝缘膜中形成有通孔部分，该通孔部分包括：带有内壁的开孔；通孔部分内形成的互连部分，其一端和所述衬底接触；通孔部分内形成的金属层，位于所述互连部分的另一端；以及在所述开孔的内壁表面上形成的保护膜。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||