| 发明名称 | 一种用以评估等离子体天线效应的高灵敏度测试结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种用以评估天线效应的测试结构。该测试结构包含有：一衬底；一ONO介电层，形成于该衬底上，其中该ONO介电层由一下层氧化层、一氮化硅层以及一上层氧化层所构成；一电极，形成于该ONO介电层之上；以及一天线结构，电连接该电极，用来收集由一等离子体所诱发的电荷。 | ||
| 申请公布号 | CN1452230A | 申请公布日期 | 2003.10.29 |
| 申请号 | CN02128536.5 | 申请日期 | 2002.08.09 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 黄仲仁;刘光文 |
| 分类号 | H01L21/66 | 主分类号 | H01L21/66 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 杨梧;马高平 |
| 主权项 | 1.一种定量侦测等离子体天线效应的高灵敏度测试结构，该测试结构包含有：一衬底；一ONO介电层，形成于该衬底上，其中该ONO介电层由一下层氧化层、一氮化硅层以及一上层氧化层所构成；一电极，形成于该ONO介电层之上；以及一天线结构，电连接该电极，用来收集由一等离子体所诱发的电荷。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||