| 发明名称 | 一种高介电栅介质及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域，具体涉一种超薄Si－N－X高介电栅介质材料及其制备方法。随着器件尺寸的不断缩小，当栅氧厚度＜1.4nm时，SiON－Si<SUB>3</SUB>N<SUB>4</SUB>高介电堆层，已不能满足其要求－穿过栅介电层的漏电流过大。本发明通过掺杂高介电元素形成SiON－SiNX(X为Ba、Sr、Ta)高介电栅介质材料。制备高介电堆层SiON－SiNX采用4步法。使用低压快速热生长炉子(LPCVD)生长，具有低的漏电流、抑制硼穿透、可比拟的载流子迁移率、稳定性好和产额高。本工艺成熟，操作简便，很适合于大生产。 | ||
| 申请公布号 | CN1450603A | 申请公布日期 | 2003.10.22 |
| 申请号 | CN03116931.7 | 申请日期 | 2003.05.15 |
| 申请人 | 上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹（集团）有限公司 | 发明人 | 缪炳有;徐小诚 |
| 分类号 | H01L21/285;H01L21/314 | 主分类号 | H01L21/285 |
| 代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人 | 陶金龙;陆飞 |
| 主权项 | 1、一种高介电栅介质，其特征在于由SiON-SiN掺杂高介电元素所形成的SiON-SiNX高介电栅介质，X为所掺杂的高介电元素：Ba，、Ta，、Sr。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东碧波路518号B楼303室 | ||