| 发明名称 | 一种含硅低介电常数材料刻蚀后的预清洗工艺 | ||
| 摘要 | 本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域，具体涉及到一种Silk刻蚀后的预清洗工艺。随着器件尺寸愈来愈小，互连RC延迟对器件开启速度影响愈来愈大。目前人们用铜和低介电材料来减少RC互连延迟。Silk是一种新的低介电材料，它在工艺集成过程中还存在一些问题。本发明改进提出了一种Silk刻蚀后的预清洗工艺，具体过程为：将刻蚀后的Silk硅片设备的去气腔室(CHC)；然后将去气后硅片进入预清洗腔室(CHA)，用Ar等离子体对硅片进行低能溅射刻蚀；最后，将硅片分别进入冷却室(CH1)和阻挡层(CH2)腔室淀积阻挡层，如Ti/TiN或Ta/TaN。 | ||
| 申请公布号 | CN1450609A | 申请公布日期 | 2003.10.22 |
| 申请号 | CN03116932.5 | 申请日期 | 2003.05.15 |
| 申请人 | 上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹（集团）有限公司 | 发明人 | 缪炳有;徐小诚 |
| 分类号 | H01L21/311;H01L21/3105;H01L21/3065 | 主分类号 | H01L21/311 |
| 代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人 | 陶金龙;陆飞 |
| 主权项 | 1、一种Silk低介电材料刻蚀后的预清洗工艺，其特征在于用Ar等离子体方法对Silk刻蚀后的硅片进行预清洗，具体步骤为：将刻蚀后的Silk硅片放入设备的去气腔室进行去气工序处理；然后将去气后的硅片进入预清洗腔室，用Ar等离子体对硅片进行溅射刻蚀，完成预清洗工艺。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东碧波路518号B楼303室 | ||