| 主权项 |
1.一种用于处理带有伤口的患者之系统,该系统包含:(a)一绷带,其包含一覆盖件及一埠,该覆盖件用于密封在该伤口周围并界定位于该伤口上方且可形成一真空之一空间,该埠提供与该空间的导通,(b)一容槽,其放置在该伤口以下并连接至该埠以从该伤口接收排放物,及(c)一真空源,其与该容槽分开且连接至该容槽,该真空源可在该容槽中及该空间中有效地提供一真空。2.如申请专利范围第1项之系统,进一步包括一耦合至该绷带的埠及该容槽之第一管以及一耦合至该真空源及该容槽之第二管。3.如申请专利范围第2项之系统,其中该容槽进一步包括一耦合至该第一管之入口埠以及一耦合至该第二管之出口埠。4.如申请专利范围第3项之系统,其中该容槽进一步包括一与该出口埠相邻之抗微生物性过滤器。5.如申请专利范围第4项之系统,其中该过滤器为斥水性。6.如申请专利范围第1项之系统,其中该容槽包括一空气通口以让该容槽的一内部区域与周遭大气导通。7.如申请专利范围第1项之系统,其中该容槽包括一上部以及一耦合至该上部之下部,且其中该容槽的上部由一刚性材料形成。8.如申请专利范围第7项之系统,其中该容槽的上部包括一耦合至该绷带之入口埠以及一耦合至该真空原之出口埠。9.如申请专利范围第7项之系统,其中该容槽的下部由一挠性材料形成。10.如申请专利范围第1项之系统,其中该等真空绷带、容槽及真空源系构成为彼此串列式运作。11.如申请专利范围第1项之系统,进一步包括一耦合至该容槽之安装部。12.如申请专利范围第1项之系统,包含一控制器,该控制器系控制该真空源并构成为用于设定施加至该空间之真空的量値。13.如申请专利范围第12项之系统,其中该控制器系构成为用于设定施加至该空间之真空的时间。14.如申请专利范围第1项之系统,包含用于将该容槽附接至一位于该伤口以下的支撑件之装置。15.如申请专利范围第1项之系统,包含用于支撑该真空源远离该容槽之装置。16.一种用于在伤口上方生成真空及从该伤口抽除排放物之系统,该系统包含:(a)一真空绷带,其放置在患者的该伤口上方并密封在该伤口周围,以提供一位于该伤口上方的真空空间,以及一与该空间导通之埠,(b)一容槽,其构成为放置在该伤口以下,该容槽经由该埠与该真空空间导通,及(c)一真空源,其定位为远离该容槽且连接至该容槽以在该容槽中及该真空空间中提供一真空,藉以使该伤口的一表面受到真空治疗。17.如申请专利范围第16项之系统,其中该真空源包含一真空泵及相关联的控制器,该泵连接至该容槽。18.如申请专利范围第17项之系统,其中该真空源定位于该容槽上方。19.如申请专利范围第16项之系统,其中该真空源定位于该容槽上方。20.如申请专利范围第16项之系统,其中该真空源包含与一真空管线连接之一流感测器,该流感测器系构成为可决定该容槽中出现的真空程度。21.如申请专利范围第16项之系统,包含用于将该容槽支撑于该伤口以下之装置。22.如申请专利范围第16项之系统,包含用于将该真空源支撑于该容槽上方之装置。23.一种用于处理患者的伤口之方法,该方法包含以下步骤:(a)在该伤口周围密封一具有一埠的绷带,以界定一位于该伤口上方且与该埠导通之空间,该空间中可形成一真空,(b)将一容槽放置在该伤口以下,(c)将一真空源放置为远离该容槽,(d)将该容槽连接至该绷带的埠,(e)将该真空源连接至该容槽,及(f)操作该真空源以排空该容槽且在该位于伤口上方的空间中提供一真空。24.如申请专利范围第23项之方法,包含用于控制施加至该空间的真空程度及施加该真空的时间之步骤。图式简单说明:图1显示安装在一活动盐水架上之壳体的立体图;图2为类似图1的立体图并显示壳体位于床头柜上;图3为类似图1及2的立体图并显示壳体安装至床上式盐水架;图4为类似图1至3的立体图并显示壳体安装在患者的病床脚板上;图5为一示范性容槽的剖视图并显示第一管耦合至容槽的一入口埠、第二管耦合至容槽的一出口埠、且一斥水性过滤器位于容槽的出口埠上;图6为本发明的另一示范性废物容槽的立体图并显示如图1至4所示用于将容槽安装在病床床架上之容槽的一安装部;及图7为本发明的另一示范性废物容槽的立体图并显示用于将容槽安装在病床床架上之容槽的一替代性安装部。 |
