发明名称 CONTACT FORMATION FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 A method of forming a liner (and resultant structure) in a contact includes depositing a first layer of refractory metal, annealing the first layer, and sputter depositing a second layer of refractory metal or a compound or an alloy thereof, over the first layer.
申请公布号 KR20030081525(A) 申请公布日期 2003.10.17
申请号 KR20037012010 申请日期 2003.09.15
申请人 发明人
分类号 H01L21/28;H01L21/768 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
主权项
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