| 摘要 |
<p>Ce procédé consiste à commuter le système de manière à le régler dans un mode repos, dans lequel un fluide isolant circule mais la chambre à vide ne contient pas de plaquette de semi-conducteur (W), et la production de plasma est suspendue, et à démarrer un processus de purge à l'azote gazeux (purge au N2) dans la chambre de traitement à vide, en réglant la pression dans la chambre de traitement à vide à un niveau prédéterminé se situant autour de 27 Pa (200 mTorr). Ce processus permet d'empêcher le chargement haute tension du composant placé par la suite dans la chambre de traitement à vide du système de traitement au plasma, et de protéger les matériaux d'isolation contre les dégâts dus à la décharge ou à des causes analogues..</p> |
