脊状波导半导体雷射元件

摘要

【课题】得到漏电流少，温度特性、高速工作特性有所改善之脊状波导半导体雷射元件。【解决手段】在p型之半导体基板上，具有依序形成p型的被覆层、量子井活性层、n型之薄的第1被覆层、n型之厚的第2被覆层之二层异构造元件，为了在第2被覆层上形成之2沟之间形成脊状波导，对于各沟蚀刻，将第1被覆层作为蚀刻阻止剂来使用，各沟到达第1被覆层之表面或其附近。薄的第1被覆层的抑制电流，改善温度特性、高速工作特性。在各沟之正下方之第1被覆层的部分形成高阻抗区域，进一步的抑制漏电流。伍、(一)、本案代表图为：第1图(二)、本案代表图之元件代表符号简单说明：102二层异构造元件 104p型半导体基板106p型被覆层 108量子井活性层110n型之第1被覆层 112n型之第2被覆层122n-InGaAS接触层 124n-电极126p-电极 120脊状波导130活性区域 118a、118b条状沟

主权项

1.一种脊状波导半导体雷射元件,在p型半导体基板上,依序形成p型的被覆层与量子井活性层,再在其上依序形成n型之薄的第1被覆层与n型之厚的第2被覆层,其特征在于:前述之第1.第2被覆层系由互异之半导体材料所构成,在形成于前述第2被覆层之2个沟之间,形成着脊状波导,前述各沟到达前述第1被覆层的表面或其附近。2.如申请专利范围第1项所述之脊状波导半导体雷射元件,其中,在前述各沟的正下方之前述第1被覆层形成着前述高阻抗区域。3.如申请专利范围第2项所述之脊状波导半导体雷射元件,其中,前述高阻抗区域不会到达前述之量子井活性层,而形成于前述第1被覆层内。4.如申请专利范围第2或3项所述之脊状波导半导体雷射元件,其中,前述高阻抗区域系藉由非活性元素之离子之植入而形成者。5.如申请专利范围第2或3项所述之脊状波导半导体雷射元件,其中,前述高阻抗区域系藉由氟元素之导入而形成者。6.如申请专利范围第2或3项所述之脊状波导半导体雷射元件,其中,前述高阻抗区域系由氧化前述第1被覆层而形成者。7.如申请专利范围第2或3项所述之脊状波导半导体雷射元件,其中,在前述脊状波导内形成着光栅。图式简单说明:图1系表示根据本发明之脊状波导半导体元件之实施形态1,(a)为立体图,(b)为剖面图。图2系表示根据本发明之脊状波导半导体元件之实施形态2之剖面图。图3系表示根据本发明之脊状波导半导体元件之实施形态3之剖面图。图4系表示根据本发明之脊状波导半导体元件之实施形态4之剖面图。图5系表示根据本发明之脊状波导半导体元件之实施形态5之剖面图。图6系表示以往之脊状波导半导体元件之剖面图。图7系表示以往之脊状波导半导体元件之剖面图。