| 发明名称 | 高选择性颈圈氧化物腐蚀工艺 | ||
| 摘要 | 在衬底中制作颈圈氧化物。(a)在反应离子刻蚀条件下，使衬底与由含氢的碳氟化合物和氧源组成的混合物相接触，清除至少上表面部分的同形氧化物层，(b)在反应离子刻蚀条件下，使步骤(a)得到的衬底与由无氢的碳氟化合物和稀释气体组成的混合物相接触，清除留在填充表面上的同形氧化物，并使上表面和填充表面过腐蚀以形成颈圈氧化物。增加步骤(c)以清除残留物。适用于高形状比沟槽电容器。减轻了衬垫氮化物层的退化，无须使用CO气体。 | ||
| 申请公布号 | CN1123921C | 申请公布日期 | 2003.10.08 |
| 申请号 | CN99105125.4 | 申请日期 | 1999.04.16 |
| 申请人 | 国际商业机器公司;西门子公司 | 发明人 | 穆尼尔·D·奈姆;马修·J·桑德巴赫;王廷豪 |
| 分类号 | H01L21/311;H01L21/8242;H01L27/108 | 主分类号 | H01L21/311 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种在半导体衬底中制作颈圈氧化物的方法，其中提供的半导体衬底具有(1)被部分地充满的沟槽，(2)(i)由部分填充所述沟槽的填充材料确定的填充表面，(ii)所述沟槽外面的上表面，和(iii)不被所述填充材料覆盖的沟槽侧壁表面，以及(3)覆盖所述填充表面、上表面和侧壁表面的同形氧化物层，所述方法包含用下列方法对所述同形氧化物进行选择性腐蚀：(a)在反应离子刻蚀条件下，使所述衬底与由含氢的碳氟化合物和氧源气体组成的混合物相接触，直至清除至少所述上表面部分的同形氧化物，(b)在反应离子刻蚀条件下，使步骤(a)得到的衬底与由无氢的碳氟化合物和稀释气体组成的混合物相接触，以便进一步清除留在所述填充表面上的同形氧化物，并使所述上表面和填充表面过腐蚀，从而所述同形氧化物的实质部分留在所述侧壁表面上以形成所述颈圈氧化物，(c)使步骤(b)得到的所述被腐蚀的衬底与至少选自O2、NF3和CF4的一个组分相接触，以便清除在步骤(a)和(b)中淀积在所述各表面上的任何残留的聚合物。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||