发明名称 CONDUCTOR CROSSOVER FOR A SEMICONDUCTOR DETECTOR
摘要 <p>Es wird eine Leitungsüberführung für einen Halbleiter-Detektor, insbesondere für einen Driftdetektor zur Röntgenspektroskopie beschrieben, die mindestens zwei in einem Halbleitersubstrat (1) angeordnete dotierte Halbleiterelektroden (2), mindestens eine über die Halbleiterelektroden (2) geführte Anschlussleitung (M) und eine erste Isolationsschicht (Ox) umfasst, wobei zwischen der Anschlussleitung (M) und der ersten Isolationsschicht (Ox) eine Zwischenelektrode (L) angeordnet ist, die den Bereich des Halbleitersubstrats (1) zwischen den Halbleiterelektroden (2) überdeckt und durch mindestens eine weitere Isolationsschicht (I) gegenüber der Anschlussleitung (M) elektrisch isoliert ist. Es werden auch ein mit einer derartigen Leitungsüberführung ausgestatteter Driftdetektor und eine Detektoranordnung zur Röntgenspektroskopie beschrieben.</p>
申请公布号 WO2003081637(P1) 申请公布日期 2003.10.02
申请号 EP2003003209 申请日期 2003.03.27
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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