| 主权项 |
1.一种场发射显示装置,其包括:一阴极板;一电阻缓冲层,该电阻缓冲层与阴极板相接触;复数电子发射单元,该复数电子发射单元形成在该电阻缓冲层上,每一该电子发射单元均由一连接该电阻缓冲层之第一部份及与第一部份相接之第二部位构成;一阳极板,该阳极板与该电阻缓冲层形成一空间间隔;其中,该电阻缓冲层与该第一部份由氧化矽制成,该电阻缓冲层与该第一部份之电阻率为渐变分布,且至少有一部份之电阻率从电阻缓冲层至该第一部份递减。2.如申请专利范围第1项所述之场发射显示装置,其中该第一部份横向之尺寸范围在5~50奈米。3.如申请专利范围第1项所述之场发射显示装置,其中该第一部份轴向尺寸范围在0.2~2微米。4.如申请专利范围第1项所述之场发射显示装置,其中该第二部份为圆锥形结构,且锥形顶端直径在0.3~2.0奈米。5.如申请专利范围第1项所述之场发射显示装置,其中该第二部份由钼制成。6.如申请专利范围第1项所述之场发射显示装置,其中该阳极由一涂覆萤光层之透明电极构成。7.如申请专利范围第6项所述之场发射显示装置,其中该透明电极包含ITO。8.如申请专利范围第1项所述之场发射显示装置,其中该阴极板形成在第一基板上,该阳极板形成在第二基板上,该第一基板及第二基板可为玻璃。9.如申请专利范围第8项所述之场发射显示装置,其中该第一基板进一步包括矽薄膜,该矽薄膜置于阴极板与玻璃基板之间。10.一种场发射显示装置,其包括:一阴极板;一电阻缓冲层,该电阻缓冲层与阴极板相接触;复数电子发射单元,该复数电子发射单元形成在该电阻缓冲层上,每一该电子发射单元均由一连接该电阻缓冲层之第一部份及与第一部份相接之第二部份构成;一阳极板,该阳极板与该电阻缓冲层形成一空间间隔;其中,该电阻缓冲层与该第一部份由氧化矽制成,该电阻缓冲层之电阻率为一渐变分布,且该电阻缓冲层至少有一部份之电阻率从阴极至阳极方向递减。11.如申请专利范围第10项所述之场发射显示装置,其中该第一部份横向尺寸范围在5~50奈米。12.如申请专利范围第11项所述之场发射显示装置,其中该第一部份轴向尺寸范围在0.2~2微米。13.如申请专利范围第10项所述之场发射显示装置,其中该第二部份为圆锥形结构,且锥形顶端直径在0.3~2.0奈米。14.如申请专利范围第10项所述之场发射显示装置,其中该第二部份由钼制成。15.一种场发射显示装置,其包括:一阴极板;一阳极板,该阳极板与该电阻缓冲层形成一空间间隔;复数电子发射单元,该复数电子发射单元置于该阴极板与阳极板之间,每一发射单元系一奈米管结构,包括一柱状之第一部份,该第一部份与阴极板相接触,以及一锥状之第二部份,该第二部份与该第一部分相邻;其中,该第一部份由氧化矽制成,具一较高之电阻率,该第二部份由钼制成,具一较低之电阻率。图式简单说明:第一图系本发明FED装置之剖面示意图。第二图系本发明FED装置中之电子发射单元之立体示意图。第三图系一习知利用金属尖端FED装置之剖面示意图。 |
