| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,该半导体装置具有一包含乾凝胶膜或有机膜之层间绝缘膜,其特征在于包含:一于该层间绝缘膜上,形成一作为在蚀刻该层间绝缘膜时之蚀刻罩幕的第一罩幕之制程;一于该第一罩幕上形成一于要蚀刻该层间绝缘膜时作为蚀刻罩幕且与第一罩幕之材质不同的第二罩幕之制程。2.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其特征在于用具有透光性之材料,来形成该第一罩幕与该第二罩幕。3.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其特征在于在该第二罩幕上形成一用以形成配线沟之图案,并在该第一罩幕上,形成一至少与该用以形成该配线沟之图案部分重叠之用以形成连接孔的图案。4.如申请专利范围第3项之半导体装置之制造方法,其特征在于用具有透光性之材料,来形成该第一罩幕与该第二罩幕。5.如申请专利范围第3项之半导体装置之制造方法,其特征在于:该在该第二罩幕上形成一用以形成配线沟之图案,并在该第一罩幕上形成一至少与该用以形成该配线沟之图案部分重叠之用以形成连接孔的图案的方法包含:一于该层间绝缘膜上形成一用以形成该第一罩幕之第一膜之后,于该第一膜上形成一用以形成该第二罩幕之第二膜的制程;一于该第二膜上形成一用以形成配线沟之图案,而形成该第二罩幕的制程;以及一在该第一膜上形成一与该用以形成该配线沟之图案至少部分重叠之用以形成连接孔之图案而形成该第一罩幕的制程。6.如申请专利范围第5项之半导体装置之制造方法,其特征在于:用具有透光性之材料,来形成该第一罩幕与该第二罩幕。7.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其特征在于:该层间绝缘膜当中,以有机膜来形成一作为配线层之间的层间绝缘膜之下层,并以该乾凝胶膜或有机膜,来形成一作为同一配线层之配线间之层间绝缘膜的上层。8.如申请专利范围第7项之半导体装置之制造方法,其特征在于:用具有透光性之材料,来形成该第一罩幕与该第二罩幕。9.如申请专利范围第7项之半导体装置之制造方法,其特征在于在该第二罩幕上形成一用以形成配线沟之图案,并在该第一罩幕上,形成一与该用以形成该配线沟之图案至少部分重叠之用以形成连接孔的图案。10.如申请专利范围第9项之半导体装置之制造方法,其特征在于:用具有透光性之材料,来形成该第一罩幕与该第二罩幕。11.如申请专利范围第9项之半导体装置之制造方法,其特征在于该在该第二罩幕上形成一用以形成配线沟之图案,并在该第一罩幕上形成一与该用以形成该配线沟之图案至少部分重叠之用以形成连接孔的图案的方法包含:一于该层间绝缘膜上形成一用以形成该第一罩幕之第一膜之后,于该第一膜上形成一用以形成该第二罩幕之第二膜的制程;一于该第二膜上形成一用以形成配线沟之图案,而形成该第二罩幕的制程;以及一在该第一膜上形成一与该用以形成该配线沟之图案至少部分重叠之用以形成连接孔之图案,而形成该第一罩幕的制程。12.如申请专利范围第11项之半导体装置之制造方法,其特征在于:用具有透光性之材料,来形成该第一罩幕与该第二罩幕。13.如申请专利范围第11项之半导体装置之制造方法,其特征在于:于形成该第一罩幕之后,包含:一接着以一在形成该第一罩幕时作为蚀刻罩幕用之光阻膜,和该第一罩幕作为蚀刻罩幕,而进行该层间绝缘膜之蚀刻,藉以形成连接孔之制程;以及一藉由一利用该第二罩幕之蚀刻而在该第一罩幕与该层间绝缘膜之上层中形成配线沟之制程。14.如申请专利范围第13项之半导体装置之制造方法,其特征在于:用具有透光性之材料,来形成该第一罩幕与该第二罩幕。15.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其特征在于:在该层间绝缘膜当中,以无机膜来形成一作为配线层间之层间绝缘膜的下层;并以该有机膜形成一作为同一配线层之配线间之层间绝缘膜的上层。16.如申请专利范围第15项之半导体装置之制造方法,其特征在于:用具有透光性之材料,来形成该第一罩幕与该第二罩幕。17.如申请专利范围第15项之半导体装置之制造方法,其特征在于在该第二罩幕上形成一用以形成配线沟之图案,并在该第一罩幕上,形成一与该用以形成该配线沟之图案至少部分重叠之用以形成连接孔的图案。18.如申请专利范围第17项之半导体装置之制造方法,其特征在于:用具有透光性之材料,来形成该第一罩幕与该第二罩幕。19.如申请专利范围第17项之半导体装置之制造方法,其特征在于:该在该第二罩幕上形成一用以形成配线沟之图案,并在该第一罩幕上形成一与该用以形成该配线沟之图案至少部分重叠之用以形成连接孔的图案的方法包含:一于该层间绝缘膜上形成一用以形成该第一罩幕之第一膜之后,于该第一膜上形成一用以形成该第二罩幕之第二膜的制程;一于该第二膜上形成一用以形成配线沟之图案,而形成该第二罩幕的制程;以及一在该第一膜上形成一与该用以形成该配线沟之图案至少部分重叠之用以形成连接孔之图案,而形成该第一罩幕的制程。20.如申请专利范围第19项之半导体装置之制造方法,其特征在于:用具有透光性之材料,来形成该第一罩幕与该第二罩幕。21.如申请专利范围第19项之半导体装置之制造方法,其特征在于:于形成该第一罩幕之后,包含:一以该第一罩幕作为蚀刻罩幕,而在该层间绝缘膜之上层中,形成一用以形成连接孔之开口部的制程;一藉由利用该第二罩幕之蚀刻,而在该第一罩幕上,形成一用以形成配线沟之开口部,同时以该层间绝缘膜之上层作为罩幕,在该层间绝缘膜之下层中,形成连接孔之制程;以及一以该第二罩幕作为蚀刻罩幕,而在该层间绝缘膜之上层中形成配线沟之制程。22.如申请专利范围第21项之半导体装置之制造方法,其特征在于:用具有透光性之材料,来形成该第一罩幕与该第二罩幕。图式简单说明:图1为一显示一有关本发明之半导体装置之制造方法之第一实施态样的制程图。图2为一显示一有关本发明之半导体装置之制造方法之第一实施态样的制程图。图3为一显示一有关本发明之半导体装置之制造方法之第二实施态样的制程图。图4为一显示一有关本发明之半导体装置之制造方法之第三实施态样的制程图。图5为一显示一有关本发明之半导体装置之制造方法之第四实施态样的制程图。图6为一显示出在第四实施态样所示制造方法中发生对正不良之场合时之制造方法的制程图。图7为一显示习知技术之制造方法之制程图。图8为一显示出在习知技术当中当发生对正不良之课题时的制程图。 |
