| 发明名称 | 极性反置红外发光二极管的功率发射效能提升元件及制法 | ||
| 摘要 | 一种极性反置红外发光二极管((Infrared lightEmitting Diode；IrED)的功率发射效能提升元件及制法。此具有功率发射效能提升的的IrED包含一基板、垒晶层以及一与发光路径成正交的凹下曲面，而且其极性可以反置。此与发光路径成正交的凹下曲面的表面有一旋涂玻璃(Spin－on－glass，SOG)。通过该涂布SOG与发光路径成正交的凹下曲面，可以避免耦合量子损失(包括吸收损失、Fresnel及临界角限制)，提升IrED的功率发射效能。 | ||
| 申请公布号 | CN1445867A | 申请公布日期 | 2003.10.01 |
| 申请号 | CN02107537.9 | 申请日期 | 2002.03.15 |
| 申请人 | 连硕科技股份有限公司 | 发明人 | 褚宏深 |
| 分类号 | H01L33/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戈泊;王刚 |
| 主权项 | 1.一种极性反置红外发光二极管的功率发射效能提升元件，该IrED的功率发射效能提升元件具有第一电极与第二电极，在该第一电极与第二电极之间依序包含：一基板；一成长于该基板顶层的第一垒晶层；一成长于该第一垒晶层上的第二垒晶层；其中，该基板具有与发光路径成正交的凹下曲面，在该凹下曲面上涂布有旋涂玻璃。 | ||
| 地址 | 中国台湾 | ||