| 发明名称 | 工件的离子束处理方法和离子注入机 | ||
| 摘要 | 用来使离子束维持在沿从离子源(12)到其上有工件被离子束处理的离子注入台(16)的束路径(14)的方法和装置。中和器(44)安装在离子注入台的上游，并向离子束中注入中和电子。在束中和器位置的上游建立磁场来阻止中和电子向上游运动。所揭示的为建立阻止电子运动的磁场的技术是使用分开放置的第一和第二永久磁体(M1，M2)。 | ||
| 申请公布号 | CN1123051C | 申请公布日期 | 2003.10.01 |
| 申请号 | CN97102061.2 | 申请日期 | 1997.01.22 |
| 申请人 | 艾克塞利斯计术公司 | 发明人 | Ｖ·Ｍ·本维尼斯特;陈炯;Ｔ·Ｎ·霍斯基;Ｗ·Ｅ·雷诺 |
| 分类号 | H01J37/317 | 主分类号 | H01J37/317 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 董巍;邹光新 |
| 主权项 | 1.一种通过控制离子束中中和电子的运动，把离子束(14)从离子源(12)导向注入台(16)，以对工件进行离子束处理的方法；该方法包含以下步骤：a)把离子束(14)沿束传输路径从源(12)导向注入台(16)，放置目标工件在注入台(16)上以进行离子束处理；b)在离子束轰击目标工件之前，在中和位置(44)向离子束中注入中和电子；以及c)通过在离子到达中和位置之前，在接近离子束的点上放置磁性排斥器(110，140)而产生磁场，以阻止中和电子离开中和位置(44)向上游运动。 | ||
| 地址 | 美国马萨诸塞州 | ||