| 主权项 |
1.一种防止腐蚀之光阻去除方法,可适用于一基板上,用以去除上述基板上之光阻层,其至少包括下列步骤:湿蚀刻去除部分之上述光阻层;流通一气体于上述基板上,该气体具有置换氯之能力;以及乾蚀刻去除上述之光阻层。2.如申请专利范围第1项所述之光阻去除方法,其中,该气体系为含氟之气体。3.如申请专利范围第2项所述之光阻去除方法,其中,该含氟之气体系为四氟化碳(CF4)。4.如申请专利范围第2项所述之光阻去除方法,其中,该含氟之气体系为六氟化硫(SF6)。5.如申请专利范围第1项所述之光阻去除方法,其中,上述气体系在高温下流通于上述基板上。6.如申请专利范围第1项所述之光阻去除方法,其中,上述光阻层系用以定义一护层之图案。7.一种防止腐蚀之光阻去除方法,可适用于一半导体基板上之接线垫区,用以去除定义上述接线垫区之光阻层,其至少包括下列步骤:湿蚀刻去除部分之上述光阻层;流通一含氟气体于上述半导体基板上,藉以去除附着于接线垫区上之氯;以及乾蚀刻去除剩余之上述光阻层。8.如申请专利范围第7项所述之光阻去除方法,其中,上述含氟气体系为四氟化碳(CF4)。9.如申请专利范围第8项所述之光阻去除方法,其中,在上述半导体基板上流通四氟化碳系于高温之环境下实施。10.如申请专利范围第7项所述之光阻去除方法,其中,上述含氟气体系为六氟化硫(SF6)。11.如申请专利范围第10项所述之光阻去除方法,其中,在上述半导体基板上流通六氟化硫系于高温之环境下实施。图式简单说明:第一图系为接线垫区上形成图案化光阻层后之侧视剖面图。第二图所示为习知技术先利用乾蚀刻再利用湿蚀刻去除光阻之流程图。第三图所示为习知技术先利用湿蚀刻再利用乾蚀刻去除光阻之流程图。第四图所示为本发明实施例中去除光阻之流程图。 |
